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1
Atomic layer deposition of AlN using trimethylaluminium and ammonia
Material Type:
Artigo
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Atomic layer deposition of AlN using trimethylaluminium and ammonia

Beshkova, M ; Deminskyi, P ; Pedersen, H ; Yakimova, R

Journal of physics. Conference series, 2020-04, Vol.1492 (1), p.12046 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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2
Design analysis of InN/InGaN quantum well laser with GaN layers at 1320-1350 nm wavelength
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Ata de Congresso
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Design analysis of InN/InGaN quantum well laser with GaN layers at 1320-1350 nm wavelength

Hossain Polash, Md Mobarak ; Alam, M. Shah

2014 International Conference on Electrical Engineering and Information & Communication Technology, 2014, p.1-5

IEEE

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3
Systematic theoretical investigations for the polytypism in SiC
Material Type:
Artigo
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Systematic theoretical investigations for the polytypism in SiC

Ito, Tomonori ; Akiyama, Toru ; Nakamura, Kohji

Physica status solidi. C, 2013-05, Vol.10 (5), p.857-860 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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4
Deposition and study of N-In co-doped sol-gel ZnO films
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Artigo
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Deposition and study of N-In co-doped sol-gel ZnO films

Ivanova, T ; Harizanova, A ; Koutzarova, T ; Vetruyen, B

Journal of physics. Conference series, 2020-04, Vol.1492 (1), p.12027 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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5
Analysis of the core–shell interface between zinc-blende GaP and wurtzite ZnO
Material Type:
Artigo
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Analysis of the core–shell interface between zinc-blende GaP and wurtzite ZnO

LAURENCIKOVA, Agáta ; ELIAS, Peter ; HASENÖHRL, Stanislav ; KOVAC, Jaroslav ; MIKOLASEK, Miroslav ; VAVRA, Ivo ; NOVAK, Jozef

Solid-state electronics, 2014-10, Vol.100, p.7-10 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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6
Numerical Analysis on Polarization-Induced Doping III-Nitride n-i-p Solar Cells
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Artigo
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Numerical Analysis on Polarization-Induced Doping III-Nitride n-i-p Solar Cells

Lee, Ya-Ju ; Yao, Yung-Chi ; Yang, Zu-Po

IEEE photonics journal, 2015-02, Vol.7 (1), p.1-9 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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7
The Manufacture of GaN Powder in Plasma
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Artigo
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The Manufacture of GaN Powder in Plasma

Li, Yafeng ; Yang, Wenzhi

Journal of physics. Conference series, 2020-10, Vol.1626 (1), p.12043 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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8
Monte Carlo Simulation of THz Radiation Detection in GaN MOSFET n+nn+ Channel with Uncentered Gate in n-region
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Artigo
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Monte Carlo Simulation of THz Radiation Detection in GaN MOSFET n+nn+ Channel with Uncentered Gate in n-region

Palermo, C. ; Torres, J. ; Varani, L. ; Gružinskis, V. ; Starikov, E. ; Shiktorov, P. ; Ašmontas, S. ; Sužiedelis, A.

Journal of physics. Conference series, 2017-10, Vol.906 (1), p.12013 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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9
Zn1-xCoxO film valence by photoelectron spectroscopy
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Artigo
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Zn1-xCoxO film valence by photoelectron spectroscopy

Peng, Yingzi ; Huo, Dexuan ; Zhu, Liping

Journal of physics. Conference series, 2011-01, Vol.263 (1), p.012018 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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10
Study of ferromagnetism in Mn doped ZnO dilute semiconductor system
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Artigo
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Study of ferromagnetism in Mn doped ZnO dilute semiconductor system

Singhal, R K ; Dhawan, M S ; Gaur, S K ; Dolia, S N ; Kumar, Sudhish ; Shripathi, T ; Deshpande, U P ; Xing, Y T ; Saitovitch, Elisa ; Garg, K B

Journal of physics. Conference series, 2009-03, Vol.153 (1), p.012065 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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