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(0 0 1) textured CoPt-Ag nanocomposite films for high-density perpendicular magnetic recording
(0 0 1) textured CoPt-Ag nanocomposite films for high-density perpendicular magnetic recording
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(0 0 1) textured CoPt-Ag nanocomposite films for high-density perpendicular magnetic recording

Xue, S.X. ; Wang, H. ; Wang, H.B. ; Yang, F.J. ; Wang, J.A. ; Cao, X. ; Gao, Y. ; Huang, Z.B. ; Li, Z.Y. ; Li, Q. ; Wong, S.P.

Journal of magnetism and magnetic materials, 2006-11, Vol.306 (2), p.332-336 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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3
(001) Bi2Sr2Ca2Cu3O10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy
(001) Bi2Sr2Ca2Cu3O10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(001) Bi2Sr2Ca2Cu3O10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy

Endo, K ; Badica, P

Crystal growth & design, 2009-01, Vol.9 (1), p.391-394 [Periódico revisado por pares]

Washington,DC: American Chemical Society

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4
{001} faults in B2 Fe-40 at.% Al-0.7 at.% C-0.5 at.% B
{001} faults in B2 Fe-40 at.% Al-0.7 at.% C-0.5 at.% B
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{001} faults in B2 Fe-40 at.% Al-0.7 at.% C-0.5 at.% B

Pang, L. ; Chisholm, M.F. ; Kumar, K.S.

Philosophical magazine letters, 1998-11, Vol.78 (5), p.349-355 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

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5
(001) silicon surfacial grain boundaries obtained by direct wafer bonding process: accurate control of the structure before bonding
(001) silicon surfacial grain boundaries obtained by direct wafer bonding process: accurate control of the structure before bonding
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(001) silicon surfacial grain boundaries obtained by direct wafer bonding process: accurate control of the structure before bonding

Rousseau, K. ; Eymery, J. ; Fournel, F. ; Morniroli, J.-P. ; Rouvière, J.-L.

Philosophical magazine (Abingdon, England), 2005-07, Vol.85 (21), p.2415-2448 [Periódico revisado por pares]

Abingdon: Taylor & Francis Group

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6
(001)-textured growth of diamond films on polycrystalline diamond substrates by bias-assisted chemical vapor deposition
(001)-textured growth of diamond films on polycrystalline diamond substrates by bias-assisted chemical vapor deposition
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(001)-textured growth of diamond films on polycrystalline diamond substrates by bias-assisted chemical vapor deposition

Zhang, W.J. ; Jiang, X. ; Klages, C.-P.

Journal of crystal growth, 1997-02, Vol.171 (3), p.485-492 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure
(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure

SUN, L ; CHEN, Y.-F ; YU, T ; MING, N.-B ; DING, D.-S ; LU, Z.-H

Applied physics. A, Materials science & processing, 1996-10, Vol.63 (4), p.381-384 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

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8
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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9
0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system
0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system

BAKER, Dan ; ZHENG, Tammy ; TAKEMOTO, Cliff ; SETHI, Satyendra ; GABRIEL, Calvin ; SCOTT, Greg

SPIE proceedings series, 2000, p.294-304

Bellingham WA: SPIE

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10
0.15 μm gate length MHEMT technology for 77GHz automotive radar applications
0.15 μm gate length MHEMT technology for 77GHz automotive radar applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.15 μm gate length MHEMT technology for 77GHz automotive radar applications

JIN HEE LEE ; HYUNG SUP YOON ; JAE YEOB SHIM ; JU YEON HONG ; DONG MIN KANG ; HAE CHEON KIM ; KYUNG IK CHO ; KYUNG HO LEE ; BOO WOO KIM

Piscataway NJ: IEEE 2004

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