skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: assunto: Physics remover Engineering, Electrical & Electronic remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Some effects of material parameters on the design of surface space-charge varactors
Some effects of material parameters on the design of surface space-charge varactors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Some effects of material parameters on the design of surface space-charge varactors

Frankl, D.R.

Solid-state electronics, 1961, Vol.2 (1), p.71-76 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Recent advances in microminiaturization, reliable components and cooling techniques
Recent advances in microminiaturization, reliable components and cooling techniques
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Recent advances in microminiaturization, reliable components and cooling techniques

Dummer, G.W.A.

Solid-state electronics, 1961, Vol.2 (1), p.18,IN5,25,IN7,31-24,IN6,30,IN8,34 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Micromasking for chemical etching of semiconductors
Micromasking for chemical etching of semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Micromasking for chemical etching of semiconductors

Denda, S.

Solid-state electronics, 1961, Vol.2 (1), p.69-69 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Mechanisms of space-charge-limited current in solids
Mechanisms of space-charge-limited current in solids
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mechanisms of space-charge-limited current in solids

Wright, G.T.

Solid-state electronics, 1961-01, Vol.2 (2), p.165-189 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Influence of wafer thickness and carrier recombination on the cutoff frequency of alloy-junction transistors
Influence of wafer thickness and carrier recombination on the cutoff frequency of alloy-junction transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of wafer thickness and carrier recombination on the cutoff frequency of alloy-junction transistors

Amer, S.

Solid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (3), p.304-308 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Secondary multiplication in silicon
Secondary multiplication in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Secondary multiplication in silicon

Moll, J.J. ; Meyer, N.I.

Solid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (2), p.155-158 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
An analysis of electroluminescent brightness waves
An analysis of electroluminescent brightness waves
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

An analysis of electroluminescent brightness waves

Eriksen, W.T. ; Ahlburg, H.

Solid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (1), p.11-17 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Diffusion of charged particles into a semiconductor under consideration of the built-in field
Diffusion of charged particles into a semiconductor under consideration of the built-in field
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Diffusion of charged particles into a semiconductor under consideration of the built-in field

Lehovec, Kurt ; Slobodskoy, Alexis

Solid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (1), p.45-50 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Current dependence of α cb in the alloy junction transistor
Current dependence of α cb in the alloy junction transistor
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Current dependence of α cb in the alloy junction transistor

Sato, Kogo ; Tomono, Masami

Solid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (1), p.29,IN5-36,IN5 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
The high-injection-level operation of drift transistors
The high-injection-level operation of drift transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The high-injection-level operation of drift transistors

Lindmayer, J. ; Wrigley, C.

Solid-state electronics, 1961-01, Vol.2 (2), p.79-84 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (277.024)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (333.347)
  2. Anais de Congresso  (85.765)
  3. magazinearticle  (3.032)
  4. Book Chapters  (916)
  5. Livros  (100)
  6. Resenhas  (18)
  7. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1973  (4.591)
  2. 1973Até1984  (12.839)
  3. 1985Até1996  (42.869)
  4. 1997Até2009  (129.844)
  5. Após 2009  (235.288)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (423.173)
  2. Japonês  (33.967)
  3. Russo  (757)
  4. Norueguês  (30)
  5. Coreano  (17)
  6. Francês  (12)
  7. Alemão  (10)
  8. Chinês  (3)
  9. Espanhol  (2)
  10. Dinamarquês  (1)
  11. Holandês  (1)
  12. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.