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Superconducting magnet for a traveling wave maser
Superconducting magnet for a traveling wave maser
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Superconducting magnet for a traveling wave maser

Bonfeld, M.D.

IEEE transactions on electron devices, 1963-03, Vol.10 (2), p.110-110 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Electroluminescent gallium arsenide diodes
Electroluminescent gallium arsenide diodes
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Electroluminescent gallium arsenide diodes

Burns, G. ; Michel, A.E. ; Nathan, M.I.

IEEE transactions on electron devices, 1963-03, Vol.10 (2), p.110-110 [Periódico revisado por pares]

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Semiconductor pressure transducers
Semiconductor pressure transducers
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Semiconductor pressure transducers

Sikorski, M.E. ; Edwards, R. ; Andreatch, P.

IEEE transactions on electron devices, 1963-03, Vol.10 (2), p.110-110 [Periódico revisado por pares]

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Single sideband suppressed carrier optical modulation
Single sideband suppressed carrier optical modulation
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Single sideband suppressed carrier optical modulation

Buhrer, C.F. ; Fowler, V.J. ; Bloom, L.R. ; Baird, D.H. ; Conwell, E.M.

IEEE transactions on electron devices, 1963-03, Vol.10 (2), p.110-110 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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5
GaAs infrared source
GaAs infrared source
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GaAs infrared source

Biard, J.R. ; Bonin, E.L. ; Carr, W.N. ; Pittman, G.E.

IEEE transactions on electron devices, 1963-03, Vol.10 (2), p.109-110 [Periódico revisado por pares]

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6
Low-frequency recombination-generation noise in Silicon FET's
Low-frequency recombination-generation noise in Silicon FET's
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Low-frequency recombination-generation noise in Silicon FET's

Lauritzen, P.O. ; Sah, C.T.

IEEE transactions on electron devices, 1963-09, Vol.10 (5), p.334-335 [Periódico revisado por pares]

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7
The gallium arsenide optical maser; efficiency measurements at 77°K, room temperature operation and experiments with external mirrors
The gallium arsenide optical maser; efficiency measurements at 77°K, room temperature operation and experiments with external mirrors
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The gallium arsenide optical maser; efficiency measurements at 77°K, room temperature operation and experiments with external mirrors

Broom, R.F. ; Gooch, C.H. ; Hambleton, K.G. ; Hilsum, C. ; Oliver, D.J.

IEEE transactions on electron devices, 1963-09, Vol.10 (5), p.334-334 [Periódico revisado por pares]

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8
Effect of doping on the absorption edge of GaAs
Effect of doping on the absorption edge of GaAs
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Effect of doping on the absorption edge of GaAs

Braunstein, R. ; Kramer, D.A. ; Berkeyheiser, J.E. ; Pankove, J.I.

IEEE transactions on electron devices, 1963-09, Vol.10 (5), p.334-334 [Periódico revisado por pares]

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9
Quenching of gallium arsenide injection lasers
Quenching of gallium arsenide injection lasers
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Quenching of gallium arsenide injection lasers

Fowler, A.B.

IEEE transactions on electron devices, 1963-09, Vol.10 (5), p.334-334 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Excess noise in field effect transistors
Excess noise in field effect transistors
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Excess noise in field effect transistors

van der Ziel, A.

IEEE transactions on electron devices, 1963-09, Vol.10 (5), p.334-334 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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  5. Após 2010  (5.526)
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