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1
Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure
Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure

M Marques Luiz Guimarães Ferreira; L. K Teles (Lara Kühl); Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J Furthmüller; F Bechstedt; 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006 2006

AIP Conference Proceedings v. 893, p. 1249-1250, 2007

New York The Institute 2007

Acesso online

2
Ab initio theory of native defects in alloys application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N
Ab initio theory of native defects in alloys application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio theory of native defects in alloys application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N

L. E. Ramos J Furthmüller; F Bechstedt; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

Journal of Physics: Condensed Matter Bristol v. 14, n. 10, p. 2577-2589, 2002

Bristol 2002

Acesso online

3
Substitutional carbon in group-III nitrides ab initio description of shallow and deep levels
Substitutional carbon in group-III nitrides ab initio description of shallow and deep levels
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Substitutional carbon in group-III nitrides ab initio description of shallow and deep levels

L E Ramos J Furthmuller; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); F Bechstedt

Physical Review B Woodbury v. 66, n. 7, p. 075209/1-075209/ , 2002

Woodbury 2002

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4
Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N ab initio calculations
Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N ab initio calculations
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N ab initio calculations

L. K. Teles (Lara Kühl) Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); J Furthmuller; F Bechstedt

Journal of Applied Physics Woodbury v. 92, n. 12, p. 7109-7113, 2002

Woodbury 2002

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5
Carbon-based defects in GaN doping behaviour
Carbon-based defects in GaN doping behaviour
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Carbon-based defects in GaN doping behaviour

L E Ramos J Furthmuller; J. R Leite (José Roberto); Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; F Bechstedt

Physica Status Solidi B-Basic Research Weinheim v. 234, n. 4, p. 864-867, 2002

Weinheim 2002

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6
Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides
Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides

L E Ramos J Furthmüller; J. R Leite (José Roberto); Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; F Bechstedt

Physical Review B v. 68, n.8, p. 085209/1-085209/12, 2003

Woodbury 2003

Acesso online

7
Ab initio theory of native defects in alloys application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N
Ab initio theory of native defects in alloys application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio theory of native defects in alloys application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N

L. E. Ramos J Furthmüller; F Bechstedt; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

Journal of Physics: Condensed Matter Bristol v. 14, n. 10, p. 2577-2589, 2002

Bristol 2002

Acesso online

8
Carbon-based defects in GaN doping behaviour
Carbon-based defects in GaN doping behaviour
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Carbon-based defects in GaN doping behaviour

L E Ramos J Furthmuller; J. R Leite (José Roberto); Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; F Bechstedt

Physica Status Solidi B-Basic Research Weinheim v. 234, n. 4, p. 864-867, 2002

Weinheim 2002

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9
Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides
Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides

L E Ramos J Furthmüller; J. R Leite (José Roberto); Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; F Bechstedt

Physical Review B v. 68, n.8, p. 085209/1-085209/12, 2003

Woodbury 2003

Acesso online

10
Substitutional carbon in group-III nitrides ab initio description of shallow and deep levels
Substitutional carbon in group-III nitrides ab initio description of shallow and deep levels
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Substitutional carbon in group-III nitrides ab initio description of shallow and deep levels

L E Ramos J Furthmuller; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); F Bechstedt

Physical Review B Woodbury v. 66, n. 7, p. 075209/1-075209/ , 2002

Woodbury 2002

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  1. Scolfaro, L
  2. Bechstedt, F
  3. Leite, J
  4. Furthmüller, J
  5. Ramos, L

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Matéria Condensada
  3. Estrutura Dos Sólidos
  4. Magnetismo
  5. Cristalografia Física

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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