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[001]-oriented nonepitaxial growth in L1-ordered FePt thin film by SiO2 addition and rapid thermal annealing
[001]-oriented nonepitaxial growth in L1-ordered FePt thin film by SiO2 addition and rapid thermal annealing
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[001]-oriented nonepitaxial growth in L1-ordered FePt thin film by SiO2 addition and rapid thermal annealing

Narisawa, T. ; Hasegawa, T. ; Ishio, S. ; Yamane, H.

Journal of applied physics, 2011-02, Vol.109 (3) [Periódico revisado por pares]

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2
{001} Oriented piezoelectric films prepared by chemical solution deposition on Ni foils
{001} Oriented piezoelectric films prepared by chemical solution deposition on Ni foils
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{001} Oriented piezoelectric films prepared by chemical solution deposition on Ni foils

Yeo, Hong Goo ; Trolier-McKinstry, Susan

Journal of applied physics, 2014-07, Vol.116 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
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0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements

Henke, Burton L. ; Smith, Jerel A. ; Attwood, David T.

Journal of applied physics, 1977-05, Vol.48 (5), p.1852-1866 [Periódico revisado por pares]

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4
[010] uniaxial-anisotropy induced asymmetry of magnetic reversal in (Ga,Mn)As
[010] uniaxial-anisotropy induced asymmetry of magnetic reversal in (Ga,Mn)As
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[010] uniaxial-anisotropy induced asymmetry of magnetic reversal in (Ga,Mn)As

Lin, D. C. ; Bi, G. Y. ; Li, F. ; Song, C. ; Wang, Y. Y. ; Cui, B. ; Wang, G. Y. ; Pan, F.

Journal of applied physics, 2013-01, Vol.113 (4) [Periódico revisado por pares]

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5
1/ f fluctuations in diffusion processes of effective space dimension less than one
1/ f fluctuations in diffusion processes of effective space dimension less than one
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1/ f fluctuations in diffusion processes of effective space dimension less than one

Agu, Masahiro

Journal of applied physics, 1983-03, Vol.54 (3), p.1190-1192 [Periódico revisado por pares]

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6
1/ f noise in the variance of Johnson noise
1/ f noise in the variance of Johnson noise
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1/ f noise in the variance of Johnson noise

Beck, H. G. E. ; Spruit, W. P.

Journal of applied physics, , Vol.49 (6), p.3384-3385 [Periódico revisado por pares]

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7
1/ f noise in thin oxide p -channel metal–nitride–oxide–silicon transistors
1/ f noise in thin oxide p -channel metal–nitride–oxide–silicon transistors
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1/ f noise in thin oxide p -channel metal–nitride–oxide–silicon transistors

Maes, Herman E. ; Usmani, Sabir H.

Journal of applied physics, , Vol.54 (4), p.1937-1949 [Periódico revisado por pares]

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8
1/ f noise produced by the random motion of the carriers crossing potential barriers in semiconductors
1/ f noise produced by the random motion of the carriers crossing potential barriers in semiconductors
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1/ f noise produced by the random motion of the carriers crossing potential barriers in semiconductors

Yoshida, Hiromichi ; Yoshida, Masanori ; Shinoda, Tsutomu ; Saito, Ihoe

Journal of applied physics, 1994-12, Vol.76 (11), p.7372-7376 [Periódico revisado por pares]

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9
1-octadecene monolayers on Si(111) hydrogen-terminated surfaces: Effect of substrate doping
1-octadecene monolayers on Si(111) hydrogen-terminated surfaces: Effect of substrate doping
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1-octadecene monolayers on Si(111) hydrogen-terminated surfaces: Effect of substrate doping

Miramond, Corinne ; Vuillaume, Dominique

Journal of applied physics, 2004-08, Vol.96 (3), p.1529-1536 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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10
10 MeV electrons irradiation effects in variously doped n-GaN
10 MeV electrons irradiation effects in variously doped n-GaN
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10 MeV electrons irradiation effects in variously doped n-GaN

Polyakov, A. Y. ; Lee, In-Hwan ; Smirnov, N. B. ; Govorkov, A. V. ; Kozhukhova, E. A. ; Kolin, N. G. ; Korulin, A. V. ; Boiko, V. M. ; Pearton, S. J.

Journal of applied physics, 2011-06, Vol.109 (12), p.123703-123703-8 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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