Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular)
Haroldo Arakaki R. V Silva; Máximo SiuLi; Valentin Obac Roda 1950-; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)
Anais São Paulo, 1990
São Paulo 1990
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001537 )(Acessar)
Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe caracterizacao e morfologia da superficie
Pierre Basmaji Máximo SiuLi; A M Ceschin; J Migliato; E Minami; E Manzoli; B Scharappe; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (12. 1989 Caxambu)
Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1989
São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1989
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001037 ) e outros locais(Acessar)
Multi - 'DELTA' - doping 'SI' 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe)
Pierre Basmaji A C Notari; Máximo SiuLi; Lidério Citrângulo Ioriatti Júnior; Oscar Hipólito; E Ranz; J C Portal; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (13. 1990 Caxambu)
Programa e Resumos São Paulo : Sbf, 1990
São Paulo Sbf 1990
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001362 )(Acessar)
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence
A. A. Bernussi P Motisuke; Pierre Basmaji; A. M Ceschin; Máximo SiuLi; Oscar Hipólito; Escola Brasileira de Física de Semicondutores (4. 1989 Belo Horizonte)
Anais Belo Horizonte : UFMG, 1989
Belo Horizonte UFMG 1989
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD000977 )(Acessar)