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Refinado por: autor: Congress of the Brazilian Microelectronics Society remover Nome da Publicação: Proceedings remover
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1
Influence of the substrate potential drop on fully depleted soi mesfet threshold voltage at 77k
Influence of the substrate potential drop on fully depleted soi mesfet threshold voltage at 77k
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of the substrate potential drop on fully depleted soi mesfet threshold voltage at 77k

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Congress of the Brazilian Microelectronics Society (10. 1995 Canela); Ibero-American Microelectronics Conference (1. 1995 Canela)

Proceedings Porto Alegre : Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995

Porto Alegre Instituto de Informatica da Ufrgs 1995

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2
Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Congress of the Brazilian Microelectronics Society (10. 1995 Canela); Ibero-American Microelectronics Conference (1. 1995 Canela)

Proceedings Porto Alegre : Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995

Porto Alegre Instituto de Informatica da Ufrgs 1995

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3
New leakage drain current model for high temperature soi mesfet
New leakage drain current model for high temperature soi mesfet
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

New leakage drain current model for high temperature soi mesfet

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; M Flandre; Congress of the Brazilian Microelectronics Society (10. 1995 Canela); Ibero-American Microelectronics Conference (1. 1995 Canela)

Proceedings Porto Alegre : Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995

Porto Alegre Instituto de Informatica da Ufrgs 1995

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4
Impact of surface mobility degradation on the effective channel lenght and series resistance extraction in submicron fully depleted soi mosfets
Impact of surface mobility degradation on the effective channel lenght and series resistance extraction in submicron fully depleted soi mosfets
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of surface mobility degradation on the effective channel lenght and series resistance extraction in submicron fully depleted soi mosfets

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; Congress of the Brazilian Microelectronics Society (10. 1995 Canela); Ibero-American Microelectronics Conference (1. 1995 Canela)

Proceedings Porto Alegre : Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995

Porto Alegre Instituto de Informatica da Ufrgs 1995

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  1. Pavanello, M  (2)
  2. Bellodi, M  (1)
  3. Claeys, C  (1)
  4. Nicolett, A  (1)
  5. Flandre, M  (1)
  6. Simoen, E  (1)
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Deste Autor:

  1. Ibero-American Microelectronics Conference
  2. Congress of the Brazilian Microelectronics Society
  3. Martino, J
  4. Pavanello, M
  5. Bellodi, M

Neste Assunto:

  1. Circuitos Integrados

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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