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Resultados de 1 a 10 de 29  para Produção Intelectual da USP

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1
A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate
A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate

Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-; Workshop IBERSHIP (9. 2003 Havana, Cuba)

Proceedings

Havana 2003

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2
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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3
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

João Antonio Martino 1959- Marcelo Antonio Pavanello; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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4
A new method to extract the LDD doping concentration on fully depleted SOI nMOSFET at 300 K
A new method to extract the LDD doping concentration on fully depleted SOI nMOSFET at 300 K
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method to extract the LDD doping concentration on fully depleted SOI nMOSFET at 300 K

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; IEEE International Conference on Devices, Circuits and Syems (3. 2000 Cancun)

Proceedings Piscataway : IEEE, 2000

Piscataway IEEE 2000

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5
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)

J Bertini João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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6
Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor
Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices (10. 2001 Washington, DC)

Proceedings Pennington : The Electrochemical Society, 2001

Pennington The Electrochemical Society 2001

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7
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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8
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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9
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)

P T Hoashi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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10
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; E A Gutierrez; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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