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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers

Nihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.

Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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2
0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs
0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs
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0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs

Zaknoune, M ; Cordier, Y ; Bollaert, S ; Ferre, D ; Théron, D ; Crosnier, Y

Solid-state electronics, 2000-09, Vol.44 (9), p.1685-1688 [Periódico revisado por pares]

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3
0.15 μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs with varying gate recess length
0.15 μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs with varying gate recess length
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0.15 μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs with varying gate recess length

Kuliev, A ; Kumar, V ; Schwindt, R ; Selvanathan, D ; Dabiran, A.M ; Chow, P ; Adesida, I

Solid-state electronics, 2003, Vol.47 (1), p.117-122 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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4
0.25 MICROMETER PRODUCTION LITHOGRAPHY
0.25 MICROMETER PRODUCTION LITHOGRAPHY
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0.25 MICROMETER PRODUCTION LITHOGRAPHY

POWELL, MW

Solid state technology, 1992-01, Vol.35 (1), p.41-41

NASHUA: PENNWELL PUBL CO SOLID STATE TECHNOLOGY OFFICE

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5
0.25 μm fully depleted SOI MOSFETs for RF mixed analog-digital circuits, including a comparison with partially depleted devices with relation to high frequency noise parameters
0.25 μm fully depleted SOI MOSFETs for RF mixed analog-digital circuits, including a comparison with partially depleted devices with relation to high frequency noise parameters
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0.25 μm fully depleted SOI MOSFETs for RF mixed analog-digital circuits, including a comparison with partially depleted devices with relation to high frequency noise parameters

Vanmackelberg, M ; Raynaud, C ; Faynot, O ; Pelloie, J.-L ; Tabone, C ; Grouillet, A ; Martin, F ; Dambrine, G ; Picheta, L ; Mackowiak, E ; Llinares, P ; Sevenhans, J ; Compagne, E ; Fletcher, G ; Flandre, D ; Dessard, V ; Vanhoenacker, D ; Raskin, J.-P

Solid-state electronics, 2002-03, Vol.46 (3), p.379-386 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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6
0.25-μm gate In0.48Ga0.52P/In0.20Ga0.80As/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors grown by solid-source molecular beam epitaxy
0.25-μm gate In0.48Ga0.52P/In0.20Ga0.80As/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors grown by solid-source molecular beam epitaxy
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0.25-μm gate In0.48Ga0.52P/In0.20Ga0.80As/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors grown by solid-source molecular beam epitaxy

Yoon, S.F ; Gay, B.P ; Zheng, H.Q ; Ang, K.S ; Wang, H ; Ng, G.I

Solid-state electronics, 1999-04, Vol.43 (4), p.785-789 [Periódico revisado por pares]

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7
0.25V FDSOI CMOS technology for ultra-low voltage applications
0.25V FDSOI CMOS technology for ultra-low voltage applications
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.25V FDSOI CMOS technology for ultra-low voltage applications

Huiling Shang ; White ; Adams

2002 IEEE International SOI Conference, 2002, p.37-38

Piscataway NJ: IEEE

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8
A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability
A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability

Rohdin, Hans ; Wakita, Arlene ; Nagy, Avelina ; Robbins, Virginia ; Moll, Nick ; Su, Chung-yi

Solid-state electronics, 1999-08, Vol.43 (8), p.1645-1654 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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9
A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket
A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket

Guegan, G. ; Deleonibus, S. ; Caillat, C. ; Tedesco, S. ; Dal’zotto, B. ; Heitzmann, M. ; Nier, M.E. ; Mur, P.

Solid-state electronics, 2002-03, Vol.46 (3), p.343-348 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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10
A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel
A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel

OSWAL, S ; MUJICA, F ; MENON, R ; GIREESH, R ; AHUJA, N ; GAMBHIR, M ; SADAFALE, M ; PRASAD, S ; SRINIVASA, R ; SHARMA, B ; RAYCHOUDHARY, A ; KHASNIS, H ; SHARMA, A ; SRIRAM, R ; VIJAYVARDHAN, B

Piscataway, New Jersey: IEEE 2004

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