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Effect of Auxiliary Current on Transistor Operation
Effect of Auxiliary Current on Transistor Operation
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Effect of Auxiliary Current on Transistor Operation

Reich, H. J. ; Schultheiss, P. M. ; Skalnik, J. G. ; Flynn, T. ; Gibson, J. E.

Journal of applied physics, 1951-01, Vol.22 (5), p.682-683, Article 682 [Periódico revisado por pares]

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2
Slow-wave dielectric circuits in traveling-wave tubes
Slow-wave dielectric circuits in traveling-wave tubes
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Slow-wave dielectric circuits in traveling-wave tubes

Durney, C.H. ; Grow, R.W.

IEEE transactions on electron devices, 1964-01, Vol.11 (1), p.38-39 [Periódico revisado por pares]

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3
Impedance characteristics of an AC MHD generator
Impedance characteristics of an AC MHD generator
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Impedance characteristics of an AC MHD generator

Kijewski, L.J. ; Fanucci, J.B. ; Ness, N.

IEEE transactions on electron devices, 1964-01, Vol.11 (1), p.14-20 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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4
Construction of a promethium-147 atomic battery
Construction of a promethium-147 atomic battery
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Construction of a promethium-147 atomic battery

Flicker, H. ; Loferski, J.J. ; Elleman, T.S.

IEEE transactions on electron devices, 1964-01, Vol.11 (1), p.2-8 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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5
Efficiency of tapered backward-wave oscillators
Efficiency of tapered backward-wave oscillators
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Efficiency of tapered backward-wave oscillators

Haddad, G.I. ; Rowe, J.E.

IEEE transactions on electron devices, 1964-01, Vol.11 (1), p.20-30 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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6
A new method of measuring noise parameters S and π of an electron beam
A new method of measuring noise parameters S and π of an electron beam
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A new method of measuring noise parameters S and π of an electron beam

Okoshi, T.

IEEE transactions on electron devices, 1964-01, Vol.11 (1), p.37-38 [Periódico revisado por pares]

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7
Start-oscillation conditions in nonuniform backward-wave oscillators
Start-oscillation conditions in nonuniform backward-wave oscillators
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Start-oscillation conditions in nonuniform backward-wave oscillators

Haddad, G.I. ; Rowe, J.E.

IEEE transactions on electron devices, 1964-01, Vol.11 (1), p.31-37 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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8
Analysis and characterization of P-N junction diode switching
Analysis and characterization of P-N junction diode switching
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis and characterization of P-N junction diode switching

Kuno, H.J.

IEEE transactions on electron devices, 1964-01, Vol.11 (1), p.8-14 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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9
Turn-on criterion for p-n-p-n devices
Turn-on criterion for p-n-p-n devices
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Turn-on criterion for p-n-p-n devices

Gentry, F.E.

IEEE transactions on electron devices, 1964-02, Vol.11 (2), p.74-74 [Periódico revisado por pares]

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10
Some studies on a high-perveance hollow-beam klystron
Some studies on a high-perveance hollow-beam klystron
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Some studies on a high-perveance hollow-beam klystron

Demmel, E.K.

IEEE transactions on electron devices, 1964-02, Vol.11 (2), p.66-73 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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