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0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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2
0.12 μm optical lithography performances using an alternating DUV phase shift mask
0.12 μm optical lithography performances using an alternating DUV phase shift mask
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0.12 μm optical lithography performances using an alternating DUV phase shift mask

Trouiller, Y. ; Buffet, N. ; Mourier, T. ; Schiavone, P. ; Quere, Y.

Microelectronic engineering, 1998-03, Vol.41, p.61-64 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
0.3 μm contact layer: process characterisation
0.3 μm contact layer: process characterisation
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0.3 μm contact layer: process characterisation

Romeo, C. ; Canali, F. ; Riva, L.

Microelectronic engineering, 1999, Vol.46 (1), p.89-92 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
0.35 μm pattern fabrication using quartz-etch attenuate phase-shifting mask in an I-line stepper with a 0.50 NA and a 0.60 sigma
0.35 μm pattern fabrication using quartz-etch attenuate phase-shifting mask in an I-line stepper with a 0.50 NA and a 0.60 sigma
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0.35 μm pattern fabrication using quartz-etch attenuate phase-shifting mask in an I-line stepper with a 0.50 NA and a 0.60 sigma

Loong, Wen-an ; Shy, Shyi-long ; Lin, Yung-chi

Microelectronic engineering, 1995-02, Vol.27 (1), p.275-278 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
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0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer

Chen, Ja-Hao ; Huang, Chih-Wei

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2018, Vol.24 (1), p.299-304 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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6
0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts
0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts
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0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts

Bychkov, A M ; Stace, T M

Nanotechnology, 2007-05, Vol.18 (18), p.185403-185403 (5) [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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7
0.5 keV Xe+ ion beam nano smoothing of ULE® substrate after processing with 3.0―10.0 keV Xe+ ion beam
0.5 keV Xe+ ion beam nano smoothing of ULE® substrate after processing with 3.0―10.0 keV Xe+ ion beam
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0.5 keV Xe+ ion beam nano smoothing of ULE® substrate after processing with 3.0―10.0 keV Xe+ ion beam

MORIJIRI, K ; ENDO, H ; MORIKAAWA, K ; PAHLOVY, S. A ; MIYAMOTO, I

Microelectronic engineering, 2011-08, Vol.88 (8), p.2694-2696 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier

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8
0.5 μm GaN RF power bar technology space evaluation
0.5 μm GaN RF power bar technology space evaluation
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0.5 μm GaN RF power bar technology space evaluation

Van de Casteele, J. ; Stuhldreier, H. ; Bouw, D. ; Gourdon, C. ; Raoult, M. ; Durand, E. ; Van Den Berghe, S. ; Hollmer, M. ; Grunwald, M. ; Lambert, B. ; Blanck, H. ; Barnes, A.

Microelectronics and reliability, 2020-11, Vol.114, p.113894, Article 113894 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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9
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate
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0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate

OGAWA, A ; IWAMOTO, K ; OTA, H ; MORITA, Y ; IKEDA, M ; NABATAME, T ; TORIUMI, A

Microelectronic engineering, 2007-09, Vol.84 (9-10), p.1861-1864 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier Science

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10
0.7% Roll-off for Solution-Processed Blue Phosphorescent OLEDs with a Novel Electron Transport Material
0.7% Roll-off for Solution-Processed Blue Phosphorescent OLEDs with a Novel Electron Transport Material
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0.7% Roll-off for Solution-Processed Blue Phosphorescent OLEDs with a Novel Electron Transport Material

Xie, Liming ; Zhuang, Jinyong ; Chen, Xiaolian ; Xie, Zhongzhi ; He, Ruifeng ; Chen, Li ; Wang, Wenlou ; Zhang, Dongyu ; Su, Wenming ; Tang, Jianxin ; Yan, Xiaolin ; Cui, Zheng

ACS photonics, 2017-03, Vol.4 (3), p.449-453

American Chemical Society

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