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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics. A, Materials Science & Processing remover
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Double layer a-Si:H/SiN:H deposited at low temperature for the passivation of N-type silicon
Double layer a-Si:H/SiN:H deposited at low temperature for the passivation of N-type silicon
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Double layer a-Si:H/SiN:H deposited at low temperature for the passivation of N-type silicon

Schutz-Kuchly, T. ; Slaoui, A.

Applied physics. A, Materials science & processing, 2013-09, Vol.112 (4), p.863-867 [Periódico revisado por pares]

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Role of MW-ECR hydrogen plasma on dopant deactivation and open-circuit voltage in crystalline silicon solar cells
Role of MW-ECR hydrogen plasma on dopant deactivation and open-circuit voltage in crystalline silicon solar cells
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Role of MW-ECR hydrogen plasma on dopant deactivation and open-circuit voltage in crystalline silicon solar cells

Madi, D. ; Prathap, P. ; Slaoui, A.

Applied physics. A, Materials science & processing, 2015-01, Vol.118 (1), p.231-237 [Periódico revisado por pares]

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High-temperature laser annealing for thin film polycrystalline silicon solar cell on glass substrate
High-temperature laser annealing for thin film polycrystalline silicon solar cell on glass substrate
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High-temperature laser annealing for thin film polycrystalline silicon solar cell on glass substrate

Chowdhury, A. ; Schneider, J. ; Dore, J. ; Mermet, F. ; Slaoui, A.

Applied physics. A, Materials science & processing, 2012-06, Vol.107 (3), p.653-659 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag

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Growth kinetics and polysilicon formation by aluminium-induced crystallization on glass-ceramic substrates
Growth kinetics and polysilicon formation by aluminium-induced crystallization on glass-ceramic substrates
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Growth kinetics and polysilicon formation by aluminium-induced crystallization on glass-ceramic substrates

Tüzün, Ö. ; Slaoui, A. ; Maurice, C. ; Vallon, S.

Applied physics. A, Materials science & processing, 2010-04, Vol.99 (1), p.53-61 [Periódico revisado por pares]

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Effective hydrogenation and surface damage induced by MW-ECR plasma of fine-grained polycrystalline silicon
Effective hydrogenation and surface damage induced by MW-ECR plasma of fine-grained polycrystalline silicon
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Effective hydrogenation and surface damage induced by MW-ECR plasma of fine-grained polycrystalline silicon

Madi, D. ; Prathap, P. ; Focsa, A. ; Slaoui, A. ; Birouk, B.

Applied physics. A, Materials science & processing, 2010-06, Vol.99 (4), p.729-734 [Periódico revisado por pares]

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Thin-film polycrystalline Si solar cells on foreign substrates: film formation at intermediate temperatures (700-1300 °C)
Thin-film polycrystalline Si solar cells on foreign substrates: film formation at intermediate temperatures (700-1300 °C)
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Thin-film polycrystalline Si solar cells on foreign substrates: film formation at intermediate temperatures (700-1300 °C)

BEAUCARNE, G ; BOURDAIS, S ; SLAOUI, A ; POORTMANS, J

Applied physics. A, Materials science & processing, 2004-08, Vol.79 (3), p.469-480 [Periódico revisado por pares]

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Development of polycrystalline silicon films on flexible metallic substrates by aluminium induced crystallization
Development of polycrystalline silicon films on flexible metallic substrates by aluminium induced crystallization
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Development of polycrystalline silicon films on flexible metallic substrates by aluminium induced crystallization

Prathap, P. ; Slaoui, A. ; Ducros, C. ; Baclet, N. ; Reydet, P. L.

Applied physics. A, Materials science & processing, 2009-10, Vol.97 (1), p.45-54 [Periódico revisado por pares]

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Double layer a-Si:H/SiN:H deposited at low temperature for the passivation of N-type silicon
Double layer a-Si:H/SiN:H deposited at low temperature for the passivation of N-type silicon
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Double layer a-Si:H/SiN:H deposited at low temperature for the passivation of N-type silicon

SCHUTZ-KUCHLY, T ; SLAOUI, A

Applied physics. A, Materials science & processing, 2013-09, Vol.112 (4), p.863-867 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: Springer

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9
Fabrication and doping of poly-SiGe using excimer-laser processing
Fabrication and doping of poly-SiGe using excimer-laser processing
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Fabrication and doping of poly-SiGe using excimer-laser processing

Slaoui, A. ; Deng, C. ; Talwar, S. ; Kramer, J. ; Sigmon, T. W.

Applied Physics A Solids and Surfaces, 1994-08, Vol.59 (2), p.203-207 [Periódico revisado por pares]

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10
Melting threshold of crystalline and amorphized Si irradiated with a pulsed ArF (193 nm) excimer laser
Melting threshold of crystalline and amorphized Si irradiated with a pulsed ArF (193 nm) excimer laser
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Melting threshold of crystalline and amorphized Si irradiated with a pulsed ArF (193 nm) excimer laser

Foulon, F. ; Fogarassy, E. ; Slaoui, A. ; Fuchs, C. ; Unamuno, S. ; Siffert, P.

Applied Physics A Solids and Surfaces, 1988-04, Vol.45 (4), p.361-364 [Periódico revisado por pares]

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