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1	Material Type: Artículo		Optical, structural and electrical characterizations of stacked Hf-based and silicon nitride dielectrics Khomenkova, L. ; Normand, P. ; Gourbilleau, F. ; Slaoui, A. ; Bonafos, C. Thin solid films, 2016-10, Vol.617, p.143-149 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
2	Material Type: Artículo		Silicon nanocrystals as light converter for solar cells Švrček, V. ; Slaoui, A. ; Muller, J.-C. Thin solid films, 2004-03, Vol.451 (Complete), p.384-388 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
3	Material Type: Artículo		Selective emitter formation by laser doping of spin-on sources Prathap, P. ; Bartringer, J. ; Slaoui, A. Applied surface science, 2013-08, Vol.278, p.173-179 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
4	Material Type: Artículo		Effect of the stoichiometry of Si-rich silicon nitride thin films on their photoluminescence and structural properties Torchynska, T.V. ; Casas Espinola, J.L. ; Vergara Hernandez, E. ; Khomenkova, L. ; Delachat, F. ; Slaoui, A. Thin solid films, 2015-04, Vol.581, p.65-69 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
5	Material Type: Artículo		Analysis of laser doping of silicon using different boron dopant sources Prathap, P. ; Bartringer, J. ; Slaoui, A. Applied surface science, 2014-05, Vol.302, p.268-274 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
6	Material Type: Artículo		Structural, optical, spectroscopic and electrical properties of Mo-doped ZnO thin films grown by radio frequency magnetron sputtering Soumahoro, I. ; Colis, S. ; Schmerber, G. ; Leuvrey, C. ; Barre, S. ; Ulhaq-Bouillet, C. ; Muller, D. ; Abd-lefdil, M. ; Hassanain, N. ; Petersen, J. ; Berrada, A. ; Slaoui, A. ; Dinia, A. Thin solid films, 2014-09, Vol.566, p.61-69 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
7	Material Type: Artículo		A comparative study of SiO2 deposited by PECVD and thermal method as passivation for multicrystalline silicon solar cells Panek, P. ; Drabczyk, K. ; Focsa, A. ; Slaoui, A. Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2009-11, Vol.165 (1-2), p.64-66 [Revista revisada por pares] Elsevier Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
8	Material Type: Artículo		Investigation of charges carrier density in phosphorus and boron doped SiNx:H layers for crystalline silicon solar cells Paviet-Salomon, B. ; Gall, S. ; Slaoui, A. Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2013-05, Vol.178 (9), p.580-585 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
9	Material Type: Artículo		Modeling of CW laser diode irradiation of amorphous silicon films Said-Bacar, Z. ; Leroy, Y. ; Antoni, F. ; Slaoui, A. ; Fogarassy, E. Applied surface science, 2011-04, Vol.257 (12), p.5127-5131 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
10	Material Type: Artículo		Structural and opto-electrical properties of Al doped ZnO sputtered thin films Laghfour, Z. ; Ajjammouri, T. ; Aazou, S. ; Refki, S. ; Nesterenko, D. V. ; Rahmouni, A. ; Abd-Lefdil, M. ; Ulyashin, A. ; Slaoui, A. ; Sekkat, Z. Journal of materials science. Materials in electronics, 2015-09, Vol.26 (9), p.6730-6735 [Revista revisada por pares] New York: Springer US Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por

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