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1
Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.
Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.

Galeti, Milene

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2008-05-16

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2
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2013-06-19

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3
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2009-09-11

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4
Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.
Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.

Sasaki, Katia Regina Akemi

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-11-17

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5
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino.
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino.

Almeida, Luciano Mendes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2012-09-25

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6
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-11-30

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7
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.

Yojo, Leonardo Shimizu

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-03-08

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8
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.

Santos, Carolina Davanzzo Gomes Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-10-22

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9
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.

Oliveira, Sára Elizabeth Souza Brazão De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2007-08-10

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10
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs.

Macambira, Christian Nemeth

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-16

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Simoen, E
  4. Claeys, C
  5. Collaert, N

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Microeletrônica
  3. Semicondutores
  4. Soi
  5. Circuitos Analógicos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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