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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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2
{0, 1/2}-cuts and the linear ordering problem : Surfaces that define facets
{0, 1/2}-cuts and the linear ordering problem : Surfaces that define facets
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{0, 1/2}-cuts and the linear ordering problem : Surfaces that define facets

FIORINI, Samuel

SIAM journal on discrete mathematics, 2007, Vol.20 (4), p.893-912 [Periódico revisado por pares]

Philadelphia, PA: Society for Industrial and Applied Mathematics

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Citações Citado por
3
(0, ±1) ideal matrices
(0, ±1) ideal matrices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(0, ±1) ideal matrices

NOBILI, P ; SASSANO, A

Mathematical programming, 1998-02, Vol.80 (3), p.265-281 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: Springer

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Citações Citado por
4
0-1 Laws for Regular Conditional Distributions
0-1 Laws for Regular Conditional Distributions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0-1 Laws for Regular Conditional Distributions

Berti, Patrizia ; Rigo, Pietro

The Annals of probability, 2007-03, Vol.35 (2), p.649-662 [Periódico revisado por pares]

Hayward, CA: Institute of Mathematical Statistics

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Citações Citado por
5
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994-01, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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Citações Citado por
6
{0,1} Completely positive matrices
{0,1} Completely positive matrices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

{0,1} Completely positive matrices

Berman, Abraham ; Xu, Changqing

Linear algebra and its applications, 2005-04, Vol.399, p.35-51 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Elsevier Inc

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7
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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8
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
0.1-μm high-aspect-ratio pattern replication and linewidth control
0.1-μm high-aspect-ratio pattern replication and linewidth control
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-μm high-aspect-ratio pattern replication and linewidth control

Chen, Zheng ; Vladimirsky, Yuli ; Cerrina, Franco ; Lai, Barry P ; Yun, Wenbing ; Gluskin, Efim S

SPIE proceedings series, 1998, Vol.3331, p.591-600

Bellingham WA: SPIE

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10
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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