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Dynamic behavior of the photodarkening process in As2S3 chalcogenide glass
Dynamic behavior of the photodarkening process in As2S3 chalcogenide glass
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Dynamic behavior of the photodarkening process in As2S3 chalcogenide glass

Aoyagi, Y. ; Segawa, Y. ; Namba, S. ; Suhara, T. ; Nishihara, H. ; Gamo, H.

Physica status solidi. A, Applied research, 1981-10, Vol.67 (2), p.669-676

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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2
Surface and interface effects in a-Si:H observed by transient grating spectroscopy
Surface and interface effects in a-Si:H observed by transient grating spectroscopy
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Surface and interface effects in a-Si:H observed by transient grating spectroscopy

Komuro, S. ; Aoyagi, Y. ; Segawa, Y. ; Namba, S. ; Masuyama, A. ; Okamoto, H. ; Hamakawa, Y.

Journal of non-crystalline solids, 1983-01, Vol.59, p.501-504 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
Extremely slow energy relaxation of a two-dimensional exciton in a GaAs superlattice structure
Extremely slow energy relaxation of a two-dimensional exciton in a GaAs superlattice structure
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Extremely slow energy relaxation of a two-dimensional exciton in a GaAs superlattice structure

Kusano, Ji ; Segawa, Y ; Aoyagi, Y ; Namba, S ; Okamoto, H

Physical review. B, Condensed matter, 1989-07, Vol.40 (3), p.1685-1691 [Periódico revisado por pares]

United States

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4
Exciton binding energy in InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells
Exciton binding energy in InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells
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Exciton binding energy in InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells

HOU, H. Q ; SEGAWA, Y ; AOYAGI, Y ; NAMBA, S ; ZHOU, J. M

Physical review. B, Condensed matter, 1990-07, Vol.42 (2), p.1284-1289

Woodbury, NY: American Physical Society

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5
Refractive index, dispersion and absorption of fluorine-doped silica glass in the deep UV region
Refractive index, dispersion and absorption of fluorine-doped silica glass in the deep UV region
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Refractive index, dispersion and absorption of fluorine-doped silica glass in the deep UV region

Tsukuma, Koji ; Yamada, Nobusuke ; Kondo, Shinichi ; Honda, Keishi ; Segawa, Hideaki

Journal of non-crystalline solids, 1991-02, Vol.127 (2), p.191-196 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Diamagnetic shift in InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells
Diamagnetic shift in InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells
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Diamagnetic shift in InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells

HOU, H. Q ; STAGUHN, W ; TAKEYAMA, S ; MIURA, N ; SEGAWA, Y ; AOYAGI, Y ; NAMBA, S

Physical review. B, Condensed matter, 1991-02, Vol.43 (5), p.4152-4157

Woodbury, NY: American Physical Society

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7
ELECTRICAL-PROPERTIES OF MOCVD-DEPOSITED PZT THIN-FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES OF MOCVD-DEPOSITED PZT THIN-FILMS
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ELECTRICAL-PROPERTIES OF MOCVD-DEPOSITED PZT THIN-FILMS

SAKASHITA, Y ; ONO, T ; SEGAWA, H

Ferroelectrics, 1992-01, Vol.133 (1-4), p.79-84 [Periódico revisado por pares]

READING: Taylor & Francis

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8
One-dimensional donor-acceptor polymer: Phosphorus porphyrins linked with molecular wire
One-dimensional donor-acceptor polymer: Phosphorus porphyrins linked with molecular wire
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One-dimensional donor-acceptor polymer: Phosphorus porphyrins linked with molecular wire

Segawa, H. ; Nakayama, N. ; Wu, F. ; Shimidzu, T.

Synthetic metals, 1993-03, Vol.55 (2), p.966-971 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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9
Epitaxial growth of CeO2 films on Si(111) by sputtering
Epitaxial growth of CeO2 films on Si(111) by sputtering
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Epitaxial growth of CeO2 films on Si(111) by sputtering

YAEGASHI, S ; KURIHARA, T ; HOSHI, H ; SEGAWA, H

Japanese journal of applied physics, 1994, Vol.33 (1A), p.270-274 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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10
High reliability internal capacitor of LTCC
High reliability internal capacitor of LTCC
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High reliability internal capacitor of LTCC

Baba, Y. ; Ochi, H. ; Segawa, S.

IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology. Part A, 1995-03, Vol.18 (1), p.170-173

IEEE

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