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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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Citações Citado por
2
0.07 mm2, 2 mW, 75 MHz-IF, fourth-order BPF using source-follower-based resonator in 90 nm CMOS
0.07 mm2, 2 mW, 75 MHz-IF, fourth-order BPF using source-follower-based resonator in 90 nm CMOS
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.07 mm2, 2 mW, 75 MHz-IF, fourth-order BPF using source-follower-based resonator in 90 nm CMOS

CHEN, Y ; MAK, P.-I ; ZHANG, L ; WANG, Y

Electronics letters, 2012, Vol.48 (10), p.552-554 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: Institution of Engineering and Technology

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3
{0,1} Completely positive matrices
{0,1} Completely positive matrices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

{0,1} Completely positive matrices

Berman, Abraham ; Xu, Changqing

Linear algebra and its applications, 2005-04, Vol.399, p.35-51 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Elsevier Inc

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Citações Citado por
4
A 0-1 integer linear programming based approach for global locality optimizations
A 0-1 integer linear programming based approach for global locality optimizations
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0-1 integer linear programming based approach for global locality optimizations

JUN XIA ; LI LUO ; XUEJUN YANG

Lecture notes in computer science, 2006, p.281-294 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

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Citações Citado por
5
A 0-1 knapsack model for evaluating the possible Electoral College performance in two-party US presidential elections
A 0-1 knapsack model for evaluating the possible Electoral College performance in two-party US presidential elections
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0-1 knapsack model for evaluating the possible Electoral College performance in two-party US presidential elections

Belenky, A.S.

Mathematical and computer modelling, 2008-09, Vol.48 (5), p.665-676 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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Citações Citado por
6
A 0.013 mm2, 5 μW, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply
A 0.013 mm2, 5 μW, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.013 mm2, 5 μW, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply

MULLER, Rikky ; GAMBINI, Simone ; RABAEY, Jan M

IEEE journal of solid-state circuits, 2012, Vol.47 (1), p.232-243 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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7
A 0.016-mm2 144-μW Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With >0.95-MHz GBW
A 0.016-mm2 144-μW Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With >0.95-MHz GBW
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.016-mm2 144-μW Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With >0.95-MHz GBW

ZUSHU YAN ; MAK, Pui-In ; LAW, Man-Kay ; MARTINS, Rui P

IEEE journal of solid-state circuits, 2013, Vol.48 (2), p.527-540 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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8
A 0.016 mm2, 2.4 GHz RF Signal Quality Measurement Macro for RF Test and Diagnosis
A 0.016 mm2, 2.4 GHz RF Signal Quality Measurement Macro for RF Test and Diagnosis
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.016 mm2, 2.4 GHz RF Signal Quality Measurement Macro for RF Test and Diagnosis

NOSE, Koichi ; MIZUNO, Masayuki

IEEE journal of solid-state circuits, 2008, Vol.43 (4), p.1038-1046 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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Citações Citado por
9
A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix
A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix

SHIN, Donghyup ; KANG, Dong-Woo ; REBEIZ, Gabriel M

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2012-02, Vol.60 (2), p.381-386 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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10
A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup
A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup

CHOI, Youngkil ; TAK, Wonho ; YOON, Younghyun ; ROH, Jeongjin ; KWON, Sunwoo ; KOH, Jinseok

IEEE journal of solid-state circuits, 2012-02, Vol.47 (2), p.454-463 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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