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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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2
0-1 Test and Recurrence Analysis for Chaotic to Quasi Periodic Transition of Floating Potential Fluctuations in DC Magnetron Sputtering Plasma
0-1 Test and Recurrence Analysis for Chaotic to Quasi Periodic Transition of Floating Potential Fluctuations in DC Magnetron Sputtering Plasma
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0-1 Test and Recurrence Analysis for Chaotic to Quasi Periodic Transition of Floating Potential Fluctuations in DC Magnetron Sputtering Plasma

Sabavath, G. K.

Plasma physics reports, 2020-06, Vol.46 (6), p.658-666 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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3
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
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0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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4
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
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0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications

YANG, J.-Y ; BENAISSA, K ; ASHBURN, S ; MADHANI, P ; BLYTHE, T ; SHICHIJO, H ; CRENSHAW, D ; WILLIAMS, B ; SRIDHAR, S ; AI, J ; BOSELLI, G ; ZHAO, S ; TANG, S.-P ; MAHALINGAM, N

Piscataway NJ: IEEE 2002

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5
0.13-μm RF CMOS and varactors performance optimization by multiple gate layouts
0.13-μm RF CMOS and varactors performance optimization by multiple gate layouts
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0.13-μm RF CMOS and varactors performance optimization by multiple gate layouts

HO, Chien-Chih ; KUO, Chin-Wei ; CHAN, Yi-Jen SR ; LIEN, Wan-Yih ; GUO, J.-C

IEEE transactions on electron devices, 2004-12, Vol.51 (12), p.2181-2185 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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6
0.18-μm Nondestructive readout FeRAM using charge compensation technique
0.18-μm Nondestructive readout FeRAM using charge compensation technique
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18-μm Nondestructive readout FeRAM using charge compensation technique

KATO, Yoshihisa ; YAMADA, Takayoshi ; SHIMADA, Yasuhiro

IEEE transactions on electron devices, 2005-12, Vol.52 (12), p.2616-2621 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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7
1st International Meeting on Applied Physics Badajoz, Spain, October 13-18, 2003
1st International Meeting on Applied Physics Badajoz, Spain, October 13-18, 2003
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Áudio 		Adicionar ao Meu Espaço

1st International Meeting on Applied Physics Badajoz, Spain, October 13-18, 2003

International Meeting on Applied Physics (1st : 2003 : Badajoz, Spain) A Méndez-Vilas; Ricardo Chacón García

Stockholm : Royal Swedish Academy of Sciences 2005

Localização: IF - Instituto de Física    (CR248 )(Acessar)

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A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications
A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications
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A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications

Gladson, S. Chrisben ; Praveen, R. ; Bhaskar, M.

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2020-07, Vol.26 (7), p.2279-2293 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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9
A 0.12 mm2 7.4 μW Micropower Temperature Sensor With an Inaccuracy of ±0.2°C (33δ) From -0°C to 125°C: SPECIAL ISSUE ON THE 36th EUROPEAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE (ESSCIRC)
A 0.12 mm2 7.4 μW Micropower Temperature Sensor With an Inaccuracy of ±0.2°C (33δ) From -0°C to 125°C: SPECIAL ISSUE ON THE 36th EUROPEAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE (ESSCIRC)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.12 mm2 7.4 μW Micropower Temperature Sensor With an Inaccuracy of ±0.2°C (33δ) From -0°C to 125°C: SPECIAL ISSUE ON THE 36th EUROPEAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE (ESSCIRC)

SOURI, Kamran ; MAKINWA, Kofi A. A

IEEE journal of solid-state circuits, 2011, Vol.46 (7), p.1693-1700 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel
A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel

OSWAL, S ; MUJICA, F ; MENON, R ; GIREESH, R ; AHUJA, N ; GAMBHIR, M ; SADAFALE, M ; PRASAD, S ; SRINIVASA, R ; SHARMA, B ; RAYCHOUDHARY, A ; KHASNIS, H ; SHARMA, A ; SRIRAM, R ; VIJAYVARDHAN, B

Piscataway, New Jersey: IEEE 2004

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Deste Autor:

  1. Russell, B
  2. Carvalho, A
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