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1
(0, ±1) ideal matrices
Material Type:
Artigo
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(0, ±1) ideal matrices

NOBILI, P ; SASSANO, A

Mathematical programming, 1998-02, Vol.80 (3), p.265-281 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: Springer

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2
0-1 reformulations of the multicommodity capacitated network design problem: Reformulation Techniques and Mathematical Programming
Material Type:
Artigo
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0-1 reformulations of the multicommodity capacitated network design problem: Reformulation Techniques and Mathematical Programming

FRANGIONI, Antonio ; GENDRON, Bernard

Discrete applied mathematics, 2009, Vol.157 (6), p.1229-1241 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier

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3
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
Material Type:
Ata de Congresso
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0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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4
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
Material Type:
Ata de Congresso
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0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications

YANG, J.-Y ; BENAISSA, K ; ASHBURN, S ; MADHANI, P ; BLYTHE, T ; SHICHIJO, H ; CRENSHAW, D ; WILLIAMS, B ; SRIDHAR, S ; AI, J ; BOSELLI, G ; ZHAO, S ; TANG, S.-P ; MAHALINGAM, N

Piscataway NJ: IEEE 2002

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5
0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax
Material Type:
Artigo
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0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax

Wojtowicz, M. ; Lai, R. ; Streit, D.C. ; Ng, G.I. ; Block, T.R. ; Tan, K.L. ; Liu, P.H. ; Freudenthal, A.K. ; Dia, R.M.

IEEE electron device letters, 1994-11, Vol.15 (11), p.477-479 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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6
A 0.013 mm2, 5 μW, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply
Material Type:
Ata de Congresso
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A 0.013 mm2, 5 μW, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply

MULLER, Rikky ; GAMBINI, Simone ; RABAEY, Jan M

IEEE journal of solid-state circuits, 2012, Vol.47 (1), p.232-243 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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7
A 0.016-mm2 144-μW Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With >0.95-MHz GBW
Material Type:
Artigo
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A 0.016-mm2 144-μW Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With >0.95-MHz GBW

ZUSHU YAN ; MAK, Pui-In ; LAW, Man-Kay ; MARTINS, Rui P

IEEE journal of solid-state circuits, 2013, Vol.48 (2), p.527-540 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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8
A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix
Material Type:
Artigo
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A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix

SHIN, Donghyup ; KANG, Dong-Woo ; REBEIZ, Gabriel M

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2012-02, Vol.60 (2), p.381-386 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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9
A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup
Material Type:
Artigo
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A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup

CHOI, Youngkil ; TAK, Wonho ; YOON, Younghyun ; ROH, Jeongjin ; KWON, Sunwoo ; KOH, Jinseok

IEEE journal of solid-state circuits, 2012-02, Vol.47 (2), p.454-463 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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10
A 0.02-mm2 9-Bit 50-MS/s Cyclic ADC in 90-nm Digital CMOS Technology
Material Type:
Artigo
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A 0.02-mm2 9-Bit 50-MS/s Cyclic ADC in 90-nm Digital CMOS Technology

HUANG, Yen-Chuan ; LEE, Tai-Cheng

IEEE journal of solid-state circuits, 2010-03, Vol.45 (3), p.610-619 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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