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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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2
0-1 GHZ WAVE-GUIDE 10.6 MU M GAAS ELECTROOPTIC MODULATOR
0-1 GHZ WAVE-GUIDE 10.6 MU M GAAS ELECTROOPTIC MODULATOR
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0-1 GHZ WAVE-GUIDE 10.6 MU M GAAS ELECTROOPTIC MODULATOR

BROWN, RT

IEEE journal of quantum electronics, 1992-05, Vol.28 (5), p.1349-1352 [Periódico revisado por pares]

NEW YORK: IEEE

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3
0.015 Degree-Per-Hour Honeycomb Disk Resonator Gyroscope
0.015 Degree-Per-Hour Honeycomb Disk Resonator Gyroscope
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0.015 Degree-Per-Hour Honeycomb Disk Resonator Gyroscope

Xu, Yi ; Li, Qingsong ; Wang, Peng ; Zhang, Yongmeng ; Zhou, Xin ; Yu, Lei ; Wu, Xuezhong ; Xiao, Dingbang

IEEE sensors journal, 2021-03, Vol.21 (6), p.7326-7338 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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4
0.025 mJ/image Fast-scan and SNR Enhanced Electrical Impedance Tomography IC for Lung Ventilation Monitoring
0.025 mJ/image Fast-scan and SNR Enhanced Electrical Impedance Tomography IC for Lung Ventilation Monitoring
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0.025 mJ/image Fast-scan and SNR Enhanced Electrical Impedance Tomography IC for Lung Ventilation Monitoring

Lee, Jaehyuk ; Ha, Unsoo ; Yoo, Hoi-Jun

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, 2017, 17(6), 78, pp.920-926

대한전자공학회

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5
0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser
0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser
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0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser

Ishida, O. ; Toba, H. ; Tohmori, Y.

IEEE photonics technology letters, 1989-12, Vol.1 (12), p.452-454

IEEE

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6
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers

Nihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.

Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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7
0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides
0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides
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0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides

Fischer, U. ; Zinke, T. ; Kropp, J.-R. ; Arndt, F. ; Petermann, K.

IEEE photonics technology letters, 1996-05, Vol.8 (5), p.647-648

IEEE

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8
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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9
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
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0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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10
0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver
0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver
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0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver

Han, Jung-Hee ; Ko, Joon-Won ; Lee, Jae Seung ; Shin, Sang-Yung

IEEE photonics technology letters, 1998-10, Vol.10 (10), p.1501-1503

IEEE

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  1. Hemmerling, E
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