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1	Material Type: Artículo		(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S. Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Revista revisada por pares] Lausanne: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
2	Material Type: Artículo		{0, 1/2}-cuts and the linear ordering problem : Surfaces that define facets FIORINI, Samuel SIAM journal on discrete mathematics, 2007, Vol.20 (4), p.893-912 [Revista revisada por pares] Philadelphia, PA: Society for Industrial and Applied Mathematics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
3	Material Type: Artículo		(0, ±1) ideal matrices NOBILI, P ; SASSANO, A Mathematical programming, 1998-02, Vol.80 (3), p.265-281 [Revista revisada por pares] Heidelberg: Springer Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
4	Material Type: Artículo		0-1 Laws for Regular Conditional Distributions Berti, Patrizia ; Rigo, Pietro The Annals of probability, 2007-03, Vol.35 (2), p.649-662 [Revista revisada por pares] Hayward, CA: Institute of Mathematical Statistics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
5	Material Type: Artículo		0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (1B), p.798-803 [Revista revisada por pares] Tokyo: Japanese journal of applied physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
6	Material Type: Artículo		{0,1} Completely positive matrices Berman, Abraham ; Xu, Changqing Linear algebra and its applications, 2005-04, Vol.399, p.35-51 [Revista revisada por pares] New York, NY: Elsevier Inc Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
7	Material Type: Artículo		0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Revista revisada por pares] AMSTERDAM: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
8	Material Type: Artículo		0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T. IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Revista revisada por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
9	Material Type: Acta de Congreso		0.1-μm high-aspect-ratio pattern replication and linewidth control Chen, Zheng ; Vladimirsky, Yuli ; Cerrina, Franco ; Lai, Barry P ; Yun, Wenbing ; Gluskin, Efim S SPIE proceedings series, 1998, Vol.3331, p.591-600 Bellingham WA: SPIE Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
10	Material Type: Acta de Congreso		0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80 Piscataway NJ: IEEE Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por

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