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1
Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100)
Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100)
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100)

Sidney Alves Lourenço Luiz Carlos Poças; Joyce Marquini Lopes; Edson Laureto; José Leonil Duarte; Ivan Frederico Lupiano Dias; A. A Quivy (Alain André); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (XXXIII 2010 Águas de Lindóia, SP)

São Paulo SBF 2010

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2
Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells
Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells

Èlder Mantovani Lopes Jose Leonil Duarte; Ivan Frederico Lupiano Dias; Edson Laureto; Luiz Carlos Poças; Sidney Alves Lourenço; A. A Quivy (Alain André); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (XXXII 2009) Águas de Lindóia, SP)

Poster Session

São Paulo SBF 2009

Acesso online

3
Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power
Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power

E M Lopes J L Duarte; I F L Dias; L C Poças; E Laureto; D F Cesar; T. E Lamas (Tomás Erikson); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (30. 2007 São Lourenço)

São Paulo : SBF, 2007

São Paulo SBF 2007

Acesso online

4
Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots
Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots

Luiz Carlos Poças Marcella Ferraz Sawata; Sidney Alves Lourenço; Edson Laureto; José Leonil Duarte; Ivan Frederico Lupiano Dias; A. A Quivy; XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 2012 Águas de Lindóia

Resumo Águas de Lindóia: SBF, 2012

Águas de Lindóia SBF 2012

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5
Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs
Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs
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Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs

E M Lopes J L Duarte; D F César; L C Poças; I. F. L Dias; E Laureto; T. E Lamas (Tomás Erikson); A. A Quivy (Alain André); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (29. 2006 São Lourenço)

São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 2006

São Paulo 2006

Acesso online

6
Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001)
Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001)
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Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001)

Marcella Ferraz Sawata Ana Flávia Ciríaco de Oliveira; Luiz Carlos Poças; Sidney Alves Lourenço; Edson Laureto; José Leonil Duarte; Ivan Frederico Lupiano Dias; A. A Quivy (Alain André); 2ª Conferência de Física da Comunidade de Países de Língua Portuguesa 2012) CBPF, Rio de Janeiro, rj (2a.

Programa (Painéis) São Paulo : SBF, 2012

São Paulo SBF 2012

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7
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs

S A Lourenço I F L Dias; J L Duarte; E Laureto; L C Poças; D O Toginho Filho; J. R Leite (José Roberto)

Brazilian Journal of Physics v. 34, n. 2A, p. 517-525, 2004

São Paulo 2004

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8
Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder
Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder

E M Lopes J L Duarte; L C Poças; I. F. L Dias; E Laureto; Alain Andre Quivy; Tomas Eriksson Lamas

JournalofLuminescence v.130, n.3, 2010

Amsterdan 2010

Acesso online

9
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs

S A Lourenço I F L Dias; J L Duarte; E Laureto; L C Poças; D O Toginho Filho; J. R Leite (José Roberto)

Brazilian Journal of Physics v. 34, n. 2A, p. 517-525, 2004

São Paulo 2004

Acesso online

10
Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder
Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder

E M Lopes J L Duarte; L C Poças; I. F. L Dias; E Laureto; Alain Andre Quivy; Tomas Eriksson Lamas

JournalofLuminescence v.130, n.3, 2010

Amsterdan 2010

Acesso online

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Deste Autor:

  1. Laureto, E
  2. Duarte, J
  3. Dias, I
  4. Poças, L
  5. Quivy, A

Neste Assunto:

  1. Fotoluminescência
  2. Matéria Condensada
  3. Semicondutores
  4. Física Da Matéria Condensada
  5. Estrutura Eletrônica

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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