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1
Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET
Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET

Daniel Augusto Ramos Kátia Regina Akemi Sasaki; Ricardo Cardoso Rangel; Pedro Henrique Duarte; João Antonio Martino 1959-; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (37th 2023 Rio de Janeiro, RJ, Brazil)

SBMicro [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023

Piscataway, N.J. IEEE 2023

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2
Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET
Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET

Arllen D.R Ribeiro Gustavo Vinicius de Araújo; João Antonio Martino 1959-; Paula Ghedini Der Agopian; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (37th 2023 Rio de Janeiro, RJ, Brazil)

SBMicro [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023

Piscataway, N.J. IEEE 2023

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3
Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET
Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET

Henrique Lanfredi Carvalho Ricardo Cardoso Rangel; Kátia Regina Akemi Sasaki; Paula Ghedini Der Agopian; Leonardo Shimizu Yojo; João Antonio Martino 1959-; Symposium on Microelectronics Technology 22-26 August 2022 Porto Alegre, Brazil ) (36th

SBMICRO Piscataway: IEEE, 2022 p. 1-4

Piscataway IEEE 2022

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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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