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INVESTIGATION OF THE PERFORMANCE OF A LABORATORY VACUUM HIGH-TEMPERATURE ELECTRIC RESISTANCE SKB- 5303A FURNACE
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INVESTIGATION OF THE PERFORMANCE OF A LABORATORY VACUUM HIGH-TEMPERATURE ELECTRIC RESISTANCE SKB- 5303A FURNACE

Fomin, V M ; Genis, L M

ELEKTROTERMIYA N-T SB, 1965-01 (45), p.3-5

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2
EFFECT OF STRUCTURAL DEFECTS ON SOME ELECTRICAL PROPERTIES OF GERMANIUM DOPED WITH GOLD AND ANTIMONY
EFFECT OF STRUCTURAL DEFECTS ON SOME ELECTRICAL PROPERTIES OF GERMANIUM DOPED WITH GOLD AND ANTIMONY
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Fomin, V G ; MILVIDSKII, M G ; SOLOVEVA, E V

SOVIET PHYS SOLID STATE, 1967-01, Vol.8 (7), p.1795-1797

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3
LARGE PARTS OF REFRACTORY CARBIDES
LARGE PARTS OF REFRACTORY CARBIDES
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LARGE PARTS OF REFRACTORY CARBIDES

IGNATEV, B G ; NAZHEVENKO, L B ; POLTORATSKIY, N I ; Fomin, G S ; YAKUTOVICH, M V

OGNEUPORY, 1967-06 (6), p.49-52

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WELDING THICK-WALLED STAINLESS STEEL CHEMICAL APPARATUS
WELDING THICK-WALLED STAINLESS STEEL CHEMICAL APPARATUS
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SAFONNIKOV, A N ; Fomin, V V ; KOZULIN, M G ; SYATISHEV, A P

SVAROCHN PROIZV, 1967-07 (7), p.3-4

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5
STUDY OF THE DISLOCATION STRUCTURE OF GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTALS
STUDY OF THE DISLOCATION STRUCTURE OF GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTALS
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STUDY OF THE DISLOCATION STRUCTURE OF GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTALS

BELYATSKAYA, N S ; GRISHINA, S P ; MILVIDSKY, M G ; OSVENSKY, V B ; Fomin, V G

IZVEST AKAD NAUK S S S R NEORG MATERIALY, 1967-08, Vol.3 (8), p.1347-1353

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X-RAY STUDY OF IMPURITY DISTRIBUTION IN HEAVILY DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS
X-RAY STUDY OF IMPURITY DISTRIBUTION IN HEAVILY DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS
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X-RAY STUDY OF IMPURITY DISTRIBUTION IN HEAVILY DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS

Fomin, V G ; MILVIDSKY, M G

KRISTALLOGRAFIYA, 1967-11, Vol.12 (6), p.1089-1091

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A STUDY OF HEAVILY-DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS WITH CELLULAR SUBSTRUCTURE
A STUDY OF HEAVILY-DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS WITH CELLULAR SUBSTRUCTURE
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A STUDY OF HEAVILY-DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS WITH CELLULAR SUBSTRUCTURE

Fomin, V G ; MILVIDSKY, M G ; BELYATSKAYA, N S ; KORCHAZHKIN, V V

KRISTALLOGRAFIYA, 1968-01, Vol.13 (1), p.172-173

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8
X-RAY INVESTIGATION OF SOME PECULIARITIES OF THE IMPURITY DISTRIBUTION IN STRONGLY-DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS
X-RAY INVESTIGATION OF SOME PECULIARITIES OF THE IMPURITY DISTRIBUTION IN STRONGLY-DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS
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X-RAY INVESTIGATION OF SOME PECULIARITIES OF THE IMPURITY DISTRIBUTION IN STRONGLY-DOPED SILICON SINGLE CRYSTALS

Fomin, V G ; MILVIDSKII, M G

SOV PHYS CRYSTALLOGR, MAY-JUNE 1968, 12, --6--, 955-957, 1968-05

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9
HEAVILY DOPED SILICON CRYSTALS WITH A CELLULAR SUBSTRUCTURE
HEAVILY DOPED SILICON CRYSTALS WITH A CELLULAR SUBSTRUCTURE
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HEAVILY DOPED SILICON CRYSTALS WITH A CELLULAR SUBSTRUCTURE

Fomin, V G ; MILVIDSKII, M G ; BELYATSKAYA, N S ; KORCHAZHKIN, V V

SOV PHYS CRYSTALLOGR, JULY-AUG. 1968, 13, --1--, 138-140, 1968-07

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NATURE OF THE INCLUSIONS IN GOLD-DOPED GERMANIUM SINGLE CRYSTALS
NATURE OF THE INCLUSIONS IN GOLD-DOPED GERMANIUM SINGLE CRYSTALS
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NATURE OF THE INCLUSIONS IN GOLD-DOPED GERMANIUM SINGLE CRYSTALS

Fomin, V G ; MILVIDSKY, M G

KRISTALLOGRAFIYA, 1969-03, Vol.14 (2), p.348-351

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