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0–1 integer programming model for procedural separation of aircraft by ground holding in ATFM
0–1 integer programming model for procedural separation of aircraft by ground holding in ATFM
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0–1 integer programming model for procedural separation of aircraft by ground holding in ATFM

Ozgur, Metin ; Cavcar, Aydan

Aerospace science and technology, 2014-02, Vol.33 (1), p.1-8 [Periódico revisado por pares]

Issy-les-Moulineaux: Elsevier Masson SAS

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0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty
0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty
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0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty

LI, Y. P ; HUANG, G. H ; YANG, Z. F ; NIE, S. L

Canadian journal of civil engineering, 2009-06, Vol.36 (6), p.1071-1084 [Periódico revisado por pares]

Ottawa, ON: National Research Council of Canada

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3
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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0.1- mu m gate-length superconducting FET
0.1- mu m gate-length superconducting FET
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0.1- mu m gate-length superconducting FET

Nishino, T. ; Hatano, M. ; Hasegawa, H. ; Murai, F. ; Kure, T. ; Hiraiwa, A. ; Yagi, K. ; Kawabe, U.

IEEE electron device letters, 1989-02, Vol.10 (2), p.61-63 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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5
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
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0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
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0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes

Smith, R.P. ; Alien, S.T. ; Reddy, M. ; Martin, S.C. ; Liu, J. ; Muller, R.E. ; Rodwell, M.J.W.

IEEE electron device letters, 1994-08, Vol.15 (8), p.295-297 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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A 0-1 goal programming model for nurse scheduling
A 0-1 goal programming model for nurse scheduling
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A 0-1 goal programming model for nurse scheduling

Azaiez, M.N. ; Al Sharif, S.S.

Computers & operations research, 2005-03, Vol.32 (3), p.491-507 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix
A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix
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A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix

SHIN, Donghyup ; KANG, Dong-Woo ; REBEIZ, Gabriel M

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2012-02, Vol.60 (2), p.381-386 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup
A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup
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A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup

CHOI, Youngkil ; TAK, Wonho ; YOON, Younghyun ; ROH, Jeongjin ; KWON, Sunwoo ; KOH, Jinseok

IEEE journal of solid-state circuits, 2012-02, Vol.47 (2), p.454-463 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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A 0.025-0.45 W 60%-Efficiency Inductive-Coupling Power Transceiver With 5-Bit Dual-Frequency Feedforward Control for Non-Contact Memory Cards
A 0.025-0.45 W 60%-Efficiency Inductive-Coupling Power Transceiver With 5-Bit Dual-Frequency Feedforward Control for Non-Contact Memory Cards
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A 0.025-0.45 W 60%-Efficiency Inductive-Coupling Power Transceiver With 5-Bit Dual-Frequency Feedforward Control for Non-Contact Memory Cards

Hayun Chung ; Radecki, A. ; Miura, N. ; Ishikuro, H. ; Kuroda, T.

IEEE journal of solid-state circuits, 2012-10, Vol.47 (10), p.2496-2504 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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