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1
0-1 GHz waveguide 10.6 mu m GaAs electrooptic modulator
0-1 GHz waveguide 10.6 mu m GaAs electrooptic modulator
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0-1 GHz waveguide 10.6 mu m GaAs electrooptic modulator

Brown, R.T.

IEEE journal of quantum electronics, 1992-05, Vol.28 (5), p.1349-1352 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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2
0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.692-694 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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Citações Citado por
3
0.013 mm2, kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency
0.013 mm2, kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.013 mm2, kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-10, Vol.49 (21), p.1340-1342 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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4
0.1- mu m gate-length superconducting FET
0.1- mu m gate-length superconducting FET
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1- mu m gate-length superconducting FET

Nishino, T. ; Hatano, M. ; Hasegawa, H. ; Murai, F. ; Kure, T. ; Hiraiwa, A. ; Yagi, K. ; Kawabe, U.

IEEE electron device letters, 1989-02, Vol.10 (2), p.61-63 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Citações Citado por
5
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Citações Citado por
6
0.1-&#956;m gate-length pseudomorphic HEMT's
0.1-&#956;m gate-length pseudomorphic HEMT's
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-μm gate-length pseudomorphic HEMT's

CHAO, P. C ; TIBERIO, R. C ; DUH, K.-H. G ; SMITH, P. M ; BALLINGALL, J. M ; LESTER, L. F ; LEE, B. R ; JABRA, A ; GIFFORD, G. G

IEEE electron device letters, 1987, Vol.8 (10), p.489-491 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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Citações Citado por
7
0.1 &#956;m Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
0.1 &#956;m Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes

Smith, R.P. ; Alien, S.T. ; Reddy, M. ; Martin, S.C. ; Liu, J. ; Muller, R.E. ; Rodwell, M.J.W.

IEEE electron device letters, 1994-08, Vol.15 (8), p.295-297 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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8
A 0.013 mm2, 5 &#956;W, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply
A 0.013 mm2, 5 &#956;W, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.013 mm2, 5 μW, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply

MULLER, Rikky ; GAMBINI, Simone ; RABAEY, Jan M

IEEE journal of solid-state circuits, 2012, Vol.47 (1), p.232-243 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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Citações Citado por
9
A 0.016-mm2 144-&#956;W Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With &gt;0.95-MHz GBW
A 0.016-mm2 144-&#956;W Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With &gt;0.95-MHz GBW
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.016-mm2 144-μW Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With >0.95-MHz GBW

ZUSHU YAN ; MAK, Pui-In ; LAW, Man-Kay ; MARTINS, Rui P

IEEE journal of solid-state circuits, 2013, Vol.48 (2), p.527-540 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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10
A 0.016 mm2, 2.4 GHz RF Signal Quality Measurement Macro for RF Test and Diagnosis
A 0.016 mm2, 2.4 GHz RF Signal Quality Measurement Macro for RF Test and Diagnosis
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.016 mm2, 2.4 GHz RF Signal Quality Measurement Macro for RF Test and Diagnosis

NOSE, Koichi ; MIZUNO, Masayuki

IEEE journal of solid-state circuits, 2008, Vol.43 (4), p.1038-1046 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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