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Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation
Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation
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Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation

Ferri, M. ; Solmi, S. ; Parisini, A. ; Bersani, M. ; Giubertoni, D. ; Barozzi, M.

Journal of applied physics, 2006-06, Vol.99 (11), p.113508-113508-7 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Damage and recovery in arsenic doped silicon after high energy Si+ implantation
Damage and recovery in arsenic doped silicon after high energy Si+ implantation
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Damage and recovery in arsenic doped silicon after high energy Si+ implantation

Solmi, S. ; Ferri, M. ; Nobili, D. ; Bianconi, M.

Journal of applied physics, 2004-10, Vol.96 (7), p.3769-3774 [Periódico revisado por pares]

United States

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Damage and recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si + implantation
Damage and recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si + implantation
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Damage and recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si + implantation

Ferri, M. ; Solmi, S. ; Nobili, D. ; Armigliato, A.

Journal of applied physics, 2006-08, Vol.100 (3), p.033711-033711-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
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Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films

F. A. Ferri Marcelo de Assumpção Pereira da Silva; Antonio Ricardo Zanatta; A. L. S Varella; A. J. A Oliveira

Journal of Applied Physics College Park : American Institute of Physics - AIP v. 108, n. 11, p. 113922-1-113922-5, Dec. 2010

College Park 2010

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD017879 )(Acessar)

5
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
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Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films

F. A. Ferri Marcelo de Assumpção Pereira da Silva; Antonio Ricardo Zanatta; A. L. S Varella; A. J. A Oliveira

Journal of Applied Physics College Park : American Institute of Physics - AIP v. 108, n. 11, p. 113922-1-113922-5, Dec. 2010

College Park 2010

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD017879 )(Acessar)

6
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
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Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films

Ferri, F. A. ; Pereira-da-Silva, M. A. ; Zanatta, A. R. ; Varella, A. L. S. ; de Oliveira, A. J. A.

Journal of applied physics, 2010-12, Vol.108 (11), p.113922-113922-5 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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7
Heterodyne speckle velocimetry of Poiseuille flow
Heterodyne speckle velocimetry of Poiseuille flow
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Heterodyne speckle velocimetry of Poiseuille flow

Alaimo, M. D. ; Potenza, M. A. C. ; Magatti, D. ; Ferri, F.

Journal of applied physics, 2007-10, Vol.102 (7), p.073113-073113-8 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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8
Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si:As irradiated with high-energy ions
Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si:As irradiated with high-energy ions
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Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si:As irradiated with high-energy ions

Lulli, G. ; Albertazzi, E. ; Bianconi, M. ; Ferri, M.

Journal of applied physics, 2003-11, Vol.94 (9), p.6215-6217 [Periódico revisado por pares]

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9
Recovery of the carrier density in arsenic-doped silicon after high energy (2 MeV) Si+ implantation
Recovery of the carrier density in arsenic-doped silicon after high energy (2 MeV) Si+ implantation
Material Type:
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Recovery of the carrier density in arsenic-doped silicon after high energy (2 MeV) Si+ implantation

Nobili, D. ; Solmi, S. ; Ferri, M. ; Attari, M.

Journal of applied physics, 2004-06, Vol.95 (11), p.6092-6097 [Periódico revisado por pares]

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10
Surface spin disorder effects in magnetite and poly(thiophene)-coated magnetite nanoparticles
Surface spin disorder effects in magnetite and poly(thiophene)-coated magnetite nanoparticles
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Surface spin disorder effects in magnetite and poly(thiophene)-coated magnetite nanoparticles

Cótica, Luiz F. ; Santos, Ivair A. ; Girotto, Emerson M. ; Ferri, Elidia V. ; Coelho, Adelino A.

Journal of applied physics, 2010-09, Vol.108 (6), p.064325-064325-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Neste Assunto:

  1. Physics
  2. Physics, Applied
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  5. General Physics And Astronomy

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