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(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method
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(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method

Guo, Dongyun ; Ju, Yang ; Fu, Chengju ; Huang, Zhixiong ; Zhang, Lianmeng

Materials science--Poland, 2016-09, Vol.34 (3), p.555-563 [Periódico revisado por pares]

De Gruyter

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2
0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)
0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)
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0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)

Li, Qingsong ; Xiao, Dingbang ; Zhou, Xin ; Xu, Yi ; Zhuo, Ming ; Hou, Zhanqiang ; He, Kaixuan ; Zhang, Yongmeng ; Wu, Xuezhong

Microsystems & nanoengineering, 2018-11, Vol.4 (1), p.32-11, Article 32 [Periódico revisado por pares]

England: Springer Nature B.V

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3
0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs
0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs
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0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs

Luo, Zhengqian ; Zhong, Min ; Ruan, Qiujun ; Huang, Yizhong ; Guo, Changlei ; Xu, Huiying ; Che, Kaijun ; Xu, Bin ; Cai, Zhiping

IEEE photonics journal, 2016-04, Vol.8 (2), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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4
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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5
0.1wt% Boron addition Effect on dynamic compressive mechanical properties of Ti-6Al-4V alloy
0.1wt% Boron addition Effect on dynamic compressive mechanical properties of Ti-6Al-4V alloy
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1wt% Boron addition Effect on dynamic compressive mechanical properties of Ti-6Al-4V alloy

Yu, Yang ; Hui, Songxiao ; Mi, Xujun ; Ye, Wenjun ; Gao, Qi Jawaid, M. ; Kenawy, El-R.

MATEC Web of Conferences, 2016, Vol.67, p.5018 [Periódico revisado por pares]

Les Ulis: EDP Sciences

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6
0.25 μm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100
0.25 μm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100
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0.25 μm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100

Kashio, N ; Kurishima, K ; Ida, M ; Matsuzaki, H

Electronics letters, 2014-10, Vol.50 (22), p.1631-1633 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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7
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
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A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

An, Eun-Ji ; Oh, Dong-Ryeol

Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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8
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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9
A 0.05 m Change in Inertial Measurement Unit Placement Alters Time and Frequency Domain Metrics during Running
A 0.05 m Change in Inertial Measurement Unit Placement Alters Time and Frequency Domain Metrics during Running
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A 0.05 m Change in Inertial Measurement Unit Placement Alters Time and Frequency Domain Metrics during Running

Kiernan, Dovin ; Katzman, Zachary David ; Hawkins, David A ; Christiansen, Blaine Andrew

Sensors (Basel, Switzerland), 2024-01, Vol.24 (2), p.656 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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10
A 0.13 μm CMOS UWB RF Transmitter with an On‐Chip T/R Switch
A 0.13 μm CMOS UWB RF Transmitter with an On‐Chip T/R Switch
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A 0.13 μm CMOS UWB RF Transmitter with an On‐Chip T/R Switch

Kim, Chang‐Wan ; Duong, Quoc‐Hoang ; Lee, Seung‐Sik ; Lee, Sang‐Gug

ETRI Journal, 2008, 30(4), , pp.526-534 [Periódico revisado por pares]

한국전자통신연구원

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