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0+-0- Crossings in Electric Fields—A Possibility for Detecting Parity Violation in Helium
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0+-0- Crossings in Electric Fields—A Possibility for Detecting Parity Violation in Helium

Oppen, G. V

Europhysics letters, 1990-01, Vol.11 (1), p.25-30 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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2
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
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0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties

Haneen Abass, Khalid ; Haidar Obaid, Noor

Journal of physics. Conference series, 2019-09, Vol.1294 (2), p.22005 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
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0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency

Xu, Peng ; Jiang, Wei Xiang ; Cai, Xiao ; Wang, Zheng Xing ; Cui, Tie Jun

Journal of physics. D, Applied physics, 2019-09, Vol.52 (37), p.375105 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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4
0.05 µm (3σ) Overlay Accuracy Through-the-lens Alignment in an Excimer Laser Lithography System
0.05 µm (3σ) Overlay Accuracy Through-the-lens Alignment in an Excimer Laser Lithography System
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0.05 µm (3σ) Overlay Accuracy Through-the-lens Alignment in an Excimer Laser Lithography System

Higashiki, Tatsuhiko ; Tojo, Toru ; Takahashi, Yoshihiko ; Tabata, Mitsuo ; Nishizaka, Takeshi ; Kuwabara, Osamu ; Uchida, Norio ; Yoshino, Hisakazu ; Saito, Susumu

Japanese Journal of Applied Physics, 1992-12, Vol.31 (Part 1, No. 12B), p.4161-4166 [Periódico revisado por pares]

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5
0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM
0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM
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0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM

HIGASHIKI, T ; TOJO, T ; TAKAHASHI, Y ; TABATA, M ; NISHIZAKA, T ; KUWABARA, O ; UCHIDA, N ; YOSHINO, H ; SAITO, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1992, Vol.31 (12B), p.4161-4166 [Periódico revisado por pares]

MINATO-KU TOKYO: JAPAN J APPLIED PHYSICS

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6
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994-01, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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7
0.1 µm Fine-Pattern Fabrication Using Variable-Shaped Electron Beam Lithography
0.1 µm Fine-Pattern Fabrication Using Variable-Shaped Electron Beam Lithography
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0.1 µm Fine-Pattern Fabrication Using Variable-Shaped Electron Beam Lithography

Hashimoto, Kazuhiko ; Yasuda, Masaaki ; Hirai, Yoshihiko ; Kawakita, Kenji ; Nomura, Noboru ; Murata, Kenji

Japanese Journal of Applied Physics, 1989-12, Vol.28 (Part 2, No. 12), p.L2281-L2283 [Periódico revisado por pares]

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8
0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC
0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC
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0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC

Ohshima, T ; Moriguchi, H ; Hoshi, S ; Itoh, M ; Tsunotani, M ; Ichioka, T

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 2003, Vol.42 (6A), p.3320-3323 [Periódico revisado por pares]

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9
0.1 V 13 GHz Transformer-Based Quadrature Voltage-Controlled Oscillator with a Capacitor Coupling Technique in 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor
0.1 V 13 GHz Transformer-Based Quadrature Voltage-Controlled Oscillator with a Capacitor Coupling Technique in 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor
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0.1 V 13 GHz Transformer-Based Quadrature Voltage-Controlled Oscillator with a Capacitor Coupling Technique in 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor

Kamimura, Tatsuya ; Lee, Sang-yeop ; Tanoi, Satoru ; Ito, Hiroyuki ; Ishihara, Noboru ; Masu, Kazuya

Japanese Journal of Applied Physics, 2012-04, Vol.51 (4), p.04DE04-04DE04-6 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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10
0.13 mu m METAL-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SEMICONDUCTOR SINGLE TRANSISTOR MEMORY CELL WITH SEPARATED SOURCE LINE
0.13 mu m METAL-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SEMICONDUCTOR SINGLE TRANSISTOR MEMORY CELL WITH SEPARATED SOURCE LINE
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0.13 mu m METAL-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SEMICONDUCTOR SINGLE TRANSISTOR MEMORY CELL WITH SEPARATED SOURCE LINE

Fujiwara, I ; Aozasa, H ; Nakamura, A ; Komatsu, Y ; Hayashi, Y

Jpn.J.Appl.Phys ,Part 1. Vol. 39, no. 2A, pp. 417-423. 2000, 2000, Vol.39 (2A), p.417-423 [Periódico revisado por pares]

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