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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
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Bai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.

Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
(0)-(0) = 0 [with Reply]
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Jagger, Janine ; Schulman, Kevin A.

Infection control and hospital epidemiology, 1994-08, Vol.15 (8), p.507-508 [Periódico revisado por pares]

United States: SLACK Incorporated

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3
(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers

Manios, E. ; Karanasos, V. ; Niarchos, D. ; Panagiotopoulos, I.

Journal of magnetism and magnetic materials, 2004-05, Vol.272, p.2169-2170 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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5
[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)
[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)
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[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)

Liao, X.Z ; Zou, J ; Cockayne, D.J.H ; Matsumura, S

Ultramicroscopy, 2004, Vol.98 (2), p.239-247 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier B.V

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6
0/0 Simplifies implicitization
0/0 Simplifies implicitization
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0/0 Simplifies implicitization

Chionh, Eng-Wee

Journal of symbolic computation, 2008-06, Vol.43 (6), p.475-489 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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7
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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8
0.006 says it all
0.006 says it all
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

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Hancocks, S

British dental journal, 2002-07, Vol.193 (1), p.56-56 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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9
0.01% Becaplermin Gel for the Treatment of a Chronic Orbital Ulcer After Exenteration
0.01% Becaplermin Gel for the Treatment of a Chronic Orbital Ulcer After Exenteration
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0.01% Becaplermin Gel for the Treatment of a Chronic Orbital Ulcer After Exenteration

Yassur, Iftach ; Hirschbein, Marc J ; Karesh, James W

Archives of ophthalmology (1960), 2001-12, Vol.119 (12), p.1858-1859

Chicago: American Medical Association

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10
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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  1. Jasanoff, S
  2. Silva, M
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  4. Universidade Estadual De Campinas
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Neste Assunto:

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