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An Exploration of False Positives Following Multispectral Analysis of Mine Tailings Extent
An Exploration of False Positives Following Multispectral Analysis of Mine Tailings Extent
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An Exploration of False Positives Following Multispectral Analysis of Mine Tailings Extent

Jewell, Daniel A. ; Campbell, Linda M. ; White, H. Peter

Canadian journal of remote sensing, 2024-12, Vol.50 (1) [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

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2
A review of silicon carbide CMOS technology for harsh environments
A review of silicon carbide CMOS technology for harsh environments
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A review of silicon carbide CMOS technology for harsh environments

Wang, Hui ; Lai, Pengyu ; Islam, Md Zahidul ; Hasan, Abu Shahir Md Khalid ; Di Mauro, Anthony ; Anika, Nur-E-Afra ; Russell, Robert ; Feng, Zhuowen ; Chen, Kevin ; Faruque, Asif ; White, Thomas ; Chen, Zhong ; Mantooth, H. Alan

Materials science in semiconductor processing, 2024-08, Vol.178 (C), p.108422, Article 108422 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier Ltd

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3
Theory-guided design of duplex-phase multi-principal-element alloys
Theory-guided design of duplex-phase multi-principal-element alloys
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Theory-guided design of duplex-phase multi-principal-element alloys

Singh, Prashant ; Johnson, Duane D. ; Tiarks, Jordan ; White, Emma M.H. ; Kustas, Andrew B. ; Pegues, Jonathan W. ; Jones, Morgan R. ; Lim, Hannah ; DelRio, Frank W. ; Carroll, Jay D. ; Ouyang, Gaoyuan ; Abere, Michael J. ; Naorem, Rameshwari ; Huang, Hailong ; Riedemann, Trevor M. ; Kotula, Paul G. ; Anderson, Iver E. ; Argibay, Nicolas

Acta materialia, 2024-06, Vol.272, p.119952, Article 119952 [Periódico revisado por pares]

United States: Elsevier Ltd

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4
Time-Dependent and Coating Modulation of Tomato Response upon Sulfur Nanoparticle Internalization and Assimilation: An Orthogonal Mechanistic Investigation
Time-Dependent and Coating Modulation of Tomato Response upon Sulfur Nanoparticle Internalization and Assimilation: An Orthogonal Mechanistic Investigation
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Time-Dependent and Coating Modulation of Tomato Response upon Sulfur Nanoparticle Internalization and Assimilation: An Orthogonal Mechanistic Investigation

Wang, Yi ; Deng, Chaoyi ; Zhao, Lijuan ; Dimkpa, Christian O. ; Elmer, Wade H. ; Wang, Bofei ; Sharma, Sudhir ; Wang, Zhenyu ; Dhankher, Om Parkash ; Xing, Baoshan ; White, Jason C.

ACS nano, 2024-05, Vol.18 (18), p.11813-11827 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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5
TOFHIR2: the readout ASIC of the CMS barrel MIP Timing Detector
TOFHIR2: the readout ASIC of the CMS barrel MIP Timing Detector
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TOFHIR2: the readout ASIC of the CMS barrel MIP Timing Detector

Albuquerque, E. ; Araújo, M. ; Benaglia, A. ; Boletti, A. ; Bugalho, R. ; Coutinho, T. ; De Guio, F. ; Faccioli, P. ; Ferramacho, L. ; Firlej, M. ; Fiutowski, T. ; Francisco, R. ; Gallinaro, M. ; Ghezzi, A. ; Hollar, J. ; Idzik, M. ; Legoinha, H. ; Leonardo, N. ; Leong, C. ; Lucchini, M.T. ; Malberti, M. ; Marozzo, G. ; Da Molin, G. ; Moron, J. ; Niknejad, T. ; Oliveira, L. ; Oliveira, N. ; Palluotto, S. ; Pisano, M. ; Redaelli, N. ; Silva, C. ; Silva, J.C. ; Silva, R. ; Silveira, M. ; Swientek, K. ; Tabarelli de Fatis, T. ; Tavernier, S. ; Varela, J. ; Varela, V. ; White, S. ; Wulff, J.

Journal of instrumentation, 2024-05, Vol.19 (5), p.P05048 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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6
Investigation on gate oxide reliability under gate bias screening for commercial SiC planar and trench MOSFETs
Investigation on gate oxide reliability under gate bias screening for commercial SiC planar and trench MOSFETs
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Investigation on gate oxide reliability under gate bias screening for commercial SiC planar and trench MOSFETs

Shi, Limeng ; Qian, Jiashu ; Jin, Michael ; Bhattacharya, Monikuntala ; Yu, Hengyu ; Shimbori, Atsushi ; White, Marvin H. ; Agarwal, Anant K.

Materials science in semiconductor processing, 2024-05, Vol.174, p.108194, Article 108194 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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7
Modeling of Charge-to-Breakdown with an Electron Trapping Model for Analysis of Thermal Gate Oxide Failure Mechanism in SiC Power MOSFETs
Modeling of Charge-to-Breakdown with an Electron Trapping Model for Analysis of Thermal Gate Oxide Failure Mechanism in SiC Power MOSFETs
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Modeling of Charge-to-Breakdown with an Electron Trapping Model for Analysis of Thermal Gate Oxide Failure Mechanism in SiC Power MOSFETs

Qian, Jiashu ; Shi, Limeng ; Jin, Michael ; Bhattacharya, Monikuntala ; Shimbori, Atsushi ; Yu, Hengyu ; Houshmand, Shiva ; White, Marvin H ; Agarwal, Anant K

Materials, 2024-04, Vol.17 (7), p.1455 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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8
Three dimensional fibrotic extracellular matrix directs microenvironment fiber remodeling by fibroblasts
Three dimensional fibrotic extracellular matrix directs microenvironment fiber remodeling by fibroblasts
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Three dimensional fibrotic extracellular matrix directs microenvironment fiber remodeling by fibroblasts

Nizamoglu, Mehmet ; Alleblas, Frederique ; Koster, Taco ; Borghuis, Theo ; Vonk, Judith M. ; Thomas, Matthew J. ; White, Eric S. ; Watson, Carolin K. ; Timens, Wim ; El Kasmi, Karim C. ; Melgert, Barbro N. ; Heijink, Irene H. ; Burgess, Janette K.

Acta biomaterialia, 2024-03, Vol.177, p.118-131 [Periódico revisado por pares]

England: Elsevier Ltd

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9
Development of InGaAs/AlGaAsSb Geiger Mode Avalanche Photodiodes
Development of InGaAs/AlGaAsSb Geiger Mode Avalanche Photodiodes
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Development of InGaAs/AlGaAsSb Geiger Mode Avalanche Photodiodes

Taylor-Mew, J. ; Collins, X. ; White, B. ; Tan, C. H. ; Ng, J. S.

IEEE transactions on electron devices, 2024-03, Vol.71 (3), p.1994-1998 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
Plant suitability for floating treatment wetland applications in brackish waters
Plant suitability for floating treatment wetland applications in brackish waters
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Plant suitability for floating treatment wetland applications in brackish waters

Landaverde, Andrea C. ; Strosnider, William H.J. ; White, Sarah A.

Ecological engineering, 2024-03, Vol.200, p.107183, Article 107183 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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