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1
Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices
Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices

Guilherme Matos Sipahi R Enderlein; L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); International Conference on the Physics of Semiconductors (22. 1994 Vancouver)

Proceedings Vancouver : World Scientific, 1994

Vancouver World Scientific 1994

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2
Density Functional theory for Holes in Semiconductors
Density Functional theory for Holes in Semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Density Functional theory for Holes in Semiconductors

R Enderlein Guilherme Matos Sipahi; Luísa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

Physical Review Letters v. 79, n. 19, p. 3712-3715, 1997

1997

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3
Teoria do Confinamento de Buracos em Heteroestruturas Semicondutoras do Tipo Delta-doping
Teoria do Confinamento de Buracos em Heteroestruturas Semicondutoras do Tipo Delta-doping
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Teoria do Confinamento de Buracos em Heteroestruturas Semicondutoras do Tipo Delta-doping

Sipahi, Guilherme Matos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1997-09-10

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
Density functional theory for holes in semiconductors - replay
Density functional theory for holes in semiconductors - replay
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Density functional theory for holes in semiconductors - replay

R Enderlein Guilherme Matos Sipahi; L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

Physical Review Letters Woodbury v. 80, n. 14, p. 3160, 1998

Woodbury 1998

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5
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors

D Beliaev L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); Guilherme Matos Sipahi

Physica Status Solidi B Berlin v. 210, n. 2, p. 777-781, 1998

Berlin 1998

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6
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors

D Beliaev L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); Guilherme Matos Sipahi

Physica Status Solidi B Berlin v. 210, n. 2, p. 777-781, 1998

Berlin 1998

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7
Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors
Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors

R Enderlein Guilherme Matos Sipahi; L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

Physical Review Letters Woodbury v. 80, n. 14, p. 3160, 1998

Woodbury 1998

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8
Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors
Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors

R Enderlein Guilherme Matos Sipahi; L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

Physical Review Letters Woodbury v. 80, n. 14, p. 3160, 1998

Woodbury 1998

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9
Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures effects of p-type doping
Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures effects of p-type doping
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures effects of p-type doping

S C P Rodrigues Guilherme Matos Sipahi; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); International Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya)

Proceedings Tokyo : The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000

Tokyo The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP 2000

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10
Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells
Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells

O. C. Noriega J. R Leite (José Roberto); E. A Meneses; J. A. N. T Soares; S. C. P Rodrigues; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; Guilherme Matos Sipahi; U Köhler; D. J As; S Potthast; A Khartchenko; K Lischka; International Workshop on Nitride Semiconductors - IWM (2002 Aachen)

Physica Status Solidi C Wiley-VCH : Verlag v. 0, n. 1, p. 528-531, Dec. 2002

Weinheim Wiley-VCH Verlag 2002

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD025961 )(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Sipahi, G
  2. Rodrigues, S
  3. Scolfaro, L
  4. Leite, J
  5. Bastos, C

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Spin
  3. Magnetismo
  4. Dispositivos Eletrônicos
  5. Matéria Condensada

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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