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1
ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing
ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing
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ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing

Pedro Henrique Duarte Ricardo Cardoso Rangel; Daniel Augusto Ramos; Leonardo Shimizu Yojo; Carlos Augusto Bergfeld Mori; Katia Regina Akemi Sasaki; Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Journal of Integrated Circuits and Systems Porto Alegre v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023

Porto Alegre 2023

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2
Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature
Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature
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Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature

Márcio Dalla Valle Martino Felipe Souza Neves; Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-; Rita Rooyackers; Cor Claeys

Journal of Integrated Circuits and Systems v.8, n.2, p. 110-115, 2013

2013

Acesso online

3
Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs
Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs
Material Type:
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Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; Rita Rooyackers; Nadine Collaert

Journal of Integrated Circuits and Systems v.5, n.2, p. 168-173, 2010

Porto Alegre 2010

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4
Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs
Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; Rita Rooyackers; Nadine Collaert

Journal of Integrated Circuits and Systems v.5, n.2, p. 168-173, 2010

Porto Alegre 2010

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5
Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data
Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data

Rodrigo do Nascimento Toledo João Antonio Martino 1959-; Paula Ghedini Der Agopian

Journal of Integrated Circuits and Systems Porto Alegre v.18, n.1, p. 1-6, 2023

Porto Alegre 2023

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6
Total ionizing dose influence on proton irradiated triple gate SOI tunnel FETs
Total ionizing dose influence on proton irradiated triple gate SOI tunnel FETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Total ionizing dose influence on proton irradiated triple gate SOI tunnel FETs

Torres, H.L.F ; Martino, J.A ; Rooyackers, R ; Simoen, E ; Claeys, C ; Agopian, P.G.D

Journal of Integrated Circuits and Systems, 2018-10, Vol.13 (2)

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  1. Martino, J
  2. Rooyackers, R
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  1. Transistores
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  5. Circuitos Analógicos

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