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1
Measurements and analysis of eletrostatic and magnetic fluctuations in tbr-1
Measurements and analysis of eletrostatic and magnetic fluctuations in tbr-1
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Measurements and analysis of eletrostatic and magnetic fluctuations in tbr-1

M V A P Heller R M Castro; Iberê Luiz Caldas; Z A Brasilio; Ruy Pepe da Silva

Sao Paulo v.23, n.3 , p.273, 1993 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1993

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2
Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers

Oscar Hipólito A. F Silva

Sao Paulo v.24, n.1 , p.399-401, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002853 )(Acessar)

3
Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers

Oscar Hipólito A. F Silva

Sao Paulo v.24, n.1 , p.399-401, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002853 )(Acessar)

4
Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)
Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)

R H Miwa R C Silva; A. C Ferraz (Armando Corbani)

Sao Paulo v.24, n.1 , p.264-9, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1994

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5
Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)
Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)

R H Miwa R C Silva; A. C Ferraz (Armando Corbani)

Sao Paulo v.24, n.1 , p.264-9, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1994

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6
Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy
Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy

J C Galzerani P S Pizani; J C Rossi; S W Silva; D I Lubyshev; Pierre Basmaji

Sao Paulo v.24, n.1 , p.337-9, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002835 )(Acessar)

7
Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy
Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy

J C Galzerani P S Pizani; J C Rossi; S W Silva; D I Lubyshev; Pierre Basmaji

Sao Paulo v.24, n.1 , p.337-9, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002835 )(Acessar)

8
Optical Properties of Ionic Ferrofluid of MnFez04
Optical Properties of Ionic Ferrofluid of MnFez04
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical Properties of Ionic Ferrofluid of MnFez04

M. F. da Silva F. A Tourinho; A. M Figueiredo Neto

Brazilian Journal of Physics New York: Springer, 1995 v. 25, n.2, p. 118-119, junho, 1995

New York 1995

Acesso online

9
Structure and energetic of GaAs:Te and InAs:Te Surfaces
Structure and energetic of GaAs:Te and InAs:Te Surfaces
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Structure and energetic of GaAs:Te and InAs:Te Surfaces

Robeto Claudino da Silva A. C Ferraz (Armando Corbani)

Brazilian Journal of Physics v. 27/A, n. 4, p. 234-236, 1997

1997

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10
New results on bound exciton in quantum wells
New results on bound exciton in quantum wells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

New results on bound exciton in quantum wells

J. B. B. Oliveira E A Meneses; Euzi Conceição Fernandes da Silva

Brazilian Journal of Physics São Paulo v. 27A, n. 4, p. 194-197, 1997

São Paulo 1997

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  1. Silva, R
  2. Silva, E
  3. Silva, A
  4. Fonseca, A
  5. Ruchko, L

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  1. Physics, Multidisciplinary
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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