skip to main content
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Refinado por: idioma: Japonês remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
0.13pW/Hz Ring VCO-Based Continuous-Time Read-Out ADC for Bio-Impedance Measurement
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0.13pW/Hz Ring VCO-Based Continuous-Time Read-Out ADC for Bio-Impedance Measurement

Danesh, Mohammadhadi ; Sanyal, Arindam

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2020-12, Vol.67 (12), p.2823-2827 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

2
0.2-um lithography using i-line and alternating phase-shift mask
Material Type:
Ata de Congresso
Adicionar ao Meu Espaço

0.2-um lithography using i-line and alternating phase-shift mask

Schiavone, Patrick ; Lalanne, Frederic P

SPIE 1996

Texto completo disponível

3
0.3 pJ/Bit Machine Learning Resistant Strong PUF Using Subthreshold Voltage Divider Array
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0.3 pJ/Bit Machine Learning Resistant Strong PUF Using Subthreshold Voltage Divider Array

Venkatesh, Abilash ; Venkatasubramaniyan, Aishwarya Bahudhanam ; Xi, Xiaodan ; Sanyal, Arindam

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2020-08, Vol.67 (8), p.1394-1398 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

4
0.5-V 4-MB Variation-Aware Cache Architecture Using 7T/14T SRAM and Its Testing Scheme
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0.5-V 4-MB Variation-Aware Cache Architecture Using 7T/14T SRAM and Its Testing Scheme

Nakata, Yohei ; Okumura, Shunsuke ; Kawaguchi, Hiroshi ; Yoshimoto, Masahiko

Information and Media Technologies, 2012, Vol.7(2), pp.544-555

Tokyo: Information and Media Technologies Editorial Board

Texto completo disponível

5
0.5-V operation variation-aware word-enhancing cache architecture using 7T/14T hybrid SRAM
Material Type:
Ata de Congresso
Adicionar ao Meu Espaço

0.5-V operation variation-aware word-enhancing cache architecture using 7T/14T hybrid SRAM

Nakata, Yohei ; Okumura, Shunsuke ; Kawaguchi, Hiroshi ; Yoshimoto, Masahiko

2010 ACM/IEEE International Symposium on Low-Power Electronics and Design (ISLPED), 2010, p.219-224

IEEE

Texto completo disponível

6
A 0.01-mm2 Mostly Digital Capacitor-Less AFE for Distributed Autonomous Neural Sensor Nodes
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

A 0.01-mm2 Mostly Digital Capacitor-Less AFE for Distributed Autonomous Neural Sensor Nodes

Huang, Jiannan ; Laiwalla, Farah ; Lee, Jihun ; Cui, Lingxiao ; Leung, Vincent ; Nurmikko, Arto ; Mercier, Patrick P.

IEEE solid-state circuits letters, , Vol.1 (7), p.162-165 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

Texto completo disponível

7
A 0.016 mV/mA Cross-Regulation 5-Output SIMO DC-DC Buck Converter Using Output-Voltage-Aware Charge Control Scheme
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

A 0.016 mV/mA Cross-Regulation 5-Output SIMO DC-DC Buck Converter Using Output-Voltage-Aware Charge Control Scheme

Ngoc-Son Pham ; Taegeun Yoo ; Kim, Tony Tae-Hyoung ; Chan-Gun Lee ; Kwang-Hyun Baek

IEEE transactions on power electronics, 2018-11, Vol.33 (11), p.9619-9630 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

8
A 0.027-mm2 Self-Calibrating Successive Approximation ADC Core in 0.18-.MU.m CMOS
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

A 0.027-mm2 Self-Calibrating Successive Approximation ADC Core in 0.18-.MU.m CMOS

KURAMOCHI, Yasuhide ; MATSUZAWA, Akira ; KAWABATA, Masayuki

IEICE transactions on fundamentals of electronics, communications and computer sciences, 2009, Vol.E92-A (2), p.360-366 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

9
A 0.1 to 2.7‐GHz SOI SP8T antenna switch adopting body self‐adapting bias technique for low‐loss high‐power applications
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1 to 2.7‐GHz SOI SP8T antenna switch adopting body self‐adapting bias technique for low‐loss high‐power applications

Zhang, Zhihao ; Zhang, Gary ; Yu, Kai ; Lin, Junming ; Liu, Zuhua

International journal of circuit theory and applications, 2018-04, Vol.46 (4), p.827-841 [Periódico revisado por pares]

Bognor Regis: Wiley Subscription Services, Inc

Texto completo disponível

10
A 0.13- \mu \text CMOS Dynamically Reconfigurable Charge Pump for Electrostatic MEMS Actuation
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

A 0.13- \mu \text CMOS Dynamically Reconfigurable Charge Pump for Electrostatic MEMS Actuation

Alameh, Abdul Hafiz ; Nabki, Frederic

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2017-04, Vol.25 (4), p.1261-1270 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (305.128)
  2. Revistas revisadas por pares (247.589)
  3. Disponível na Biblioteca (55)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (293.831)
  2. Anais de Congresso  (8.602)
  3. magazinearticle  (1.476)
  4. Book Chapters  (934)
  5. Livros  (238)
  6. Resenhas  (75)
  7. Verbetes  (17)
  8. Revistas  (8)
  9. Imagens  (3)
  10. Produções Artísticas  (1)
  11. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
  1. Antes de1959  (834)
  2. 1959Até1974  (1.944)
  3. 1975Até1990  (7.283)
  4. 1991Até2007  (80.234)
  5. Após 2007  (214.951)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (263.505)
  2. Alemão  (502)
  3. Norueguês  (179)
  4. Francês  (163)
  5. Português  (80)
  6. Chinês  (73)
  7. Russo  (42)
  8. Espanhol  (25)
  9. Holandês  (18)
  10. Tcheco  (5)
  11. Italiano  (5)
  12. Eslovaco  (4)
  13. Persa  (4)
  14. Coreano  (3)
  15. Catalão  (2)
  16. Árabe  (2)
  17. Polonês  (2)
  18. Vários idiomas  (2)
  19. Africâner  (1)
  20. Dinamarquês  (1)
  21. Mais opções open sub menu

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Futagawa, Y
  2. Maki, F
  3. Pfeiffer, B
  4. Nakamura, T
  5. Guedes Sobrinho, J

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.