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0–1 ILP-based run-time hierarchical energy optimization for heterogeneous cluster-based multi/many-core systems
0–1 ILP-based run-time hierarchical energy optimization for heterogeneous cluster-based multi/many-core systems
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0–1 ILP-based run-time hierarchical energy optimization for heterogeneous cluster-based multi/many-core systems

Yang, Simei ; Le Nours, Sébastien ; Mendez Real, Maria ; Pillement, Sébastien

Journal of systems architecture, 2021-06, Vol.116, p.102035, Article 102035 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
A 0.004% resolution & SAT<1.8 μson-chip adaptive anti-aging system using cuckoo intelligence-based algorithm in 65 nm CMOS
A 0.004% resolution & SAT<1.8 μson-chip adaptive anti-aging system using cuckoo intelligence-based algorithm in 65 nm CMOS
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A 0.004% resolution & SAT<1.8 μson-chip adaptive anti-aging system using cuckoo intelligence-based algorithm in 65 nm CMOS

Zhang, Yuejun ; Zhang, Haiming ; Wang, Pengjun ; Wu, Qiufeng ; Li, Gang

Integration (Amsterdam), 2021-05, Vol.78, p.135-143 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
A 0.1&#8211;5.0&#8239;GHz flexible SDR receiver with digitally assisted calibration in 65&#8239;nm CMOS
A 0.1&#8211;5.0&#8239;GHz flexible SDR receiver with digitally assisted calibration in 65&#8239;nm CMOS
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A 0.1–5.0 GHz flexible SDR receiver with digitally assisted calibration in 65 nm CMOS

Zhang, Xinwang ; Chen, Zipeng ; Gao, Yanqiang ; Xu, Yang ; Liu, Bingqiao ; Yu, Qian ; Sun, Yichuang ; Wang, Zhihua ; Chi, Baoyong

Microelectronics, 2018-02, Vol.72, p.58-73

Elsevier Ltd

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4
A 0.2-V 1.2&#160;nW 1-KS/s SAR ADC with a novel comparator structure for biomedical applications
A 0.2-V 1.2&#160;nW 1-KS/s SAR ADC with a novel comparator structure for biomedical applications
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A 0.2-V 1.2 nW 1-KS/s SAR ADC with a novel comparator structure for biomedical applications

Vafaei, M. ; Hosseini, M.R. ; Abiri, E. ; Salehi, M.R.

Integration (Amsterdam), 2023-01, Vol.88, p.362-370 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
A 0.25-V fifth-order Butterworth low-pass filter based on fully differential difference transconductance amplifier architecture
A 0.25-V fifth-order Butterworth low-pass filter based on fully differential difference transconductance amplifier architecture
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A 0.25-V fifth-order Butterworth low-pass filter based on fully differential difference transconductance amplifier architecture

Pinto, Paulo M. ; Ferreira, Luís H.C. ; Colletta, Gustavo D. ; Braga, Rodrigo A.S.

Microelectronics, 2019-10, Vol.92, p.104606, Article 104606

Elsevier Ltd

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6
A 0.3 V 8-bit 8.9 fJ/con.-step SAR ADC with sub-DAC merged switching for bio-sensors
A 0.3 V 8-bit 8.9 fJ/con.-step SAR ADC with sub-DAC merged switching for bio-sensors
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A 0.3 V 8-bit 8.9 fJ/con.-step SAR ADC with sub-DAC merged switching for bio-sensors

Guo, Wei ; Zhu, Zhangming

Microelectronics, 2017-10, Vol.68, p.44-54

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7
A 0.3 V 8-bit 8.9fJ/con.-step SAR ADC with sub-DAC merged switching for bio-sensors
A 0.3 V 8-bit 8.9fJ/con.-step SAR ADC with sub-DAC merged switching for bio-sensors
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A 0.3 V 8-bit 8.9fJ/con.-step SAR ADC with sub-DAC merged switching for bio-sensors

Guo, Wei ; Zhu, Zhangming

Microelectronics, 2017-10, Vol.68, p.44-54

Elsevier Ltd

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8
A 0.33 V 2.5 &#181;W cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130 nm CMOS
A 0.33 V 2.5 &#181;W cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130 nm CMOS
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A 0.33 V 2.5 µW cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130 nm CMOS

Jin, Wei ; He, Weifeng ; Jiang, Jianfei ; Huang, Haichao ; Zhao, Xuejun ; Sun, Yanan ; Chen, Xin ; Jing, Naifeng

Integration (Amsterdam), 2017-06, Vol.58, p.27 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier BV

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9
A 0.33 V 2.5 &#956;W cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130 nm CMOS
A 0.33 V 2.5 &#956;W cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130 nm CMOS
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A 0.33 V 2.5 μW cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130 nm CMOS

Jin, Wei ; He, Weifeng ; Jiang, Jianfei ; Huang, Haichao ; Zhao, Xuejun ; Sun, Yanan ; Chen, Xin ; Jing, Naifeng

Integration (Amsterdam), 2017-06, Vol.58, p.27-34 [Periódico revisado por pares]

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10
A 0.33V 2.5&#956;W cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130nm CMOS
A 0.33V 2.5&#956;W cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130nm CMOS
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A 0.33V 2.5μW cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130nm CMOS

Jin, Wei ; He, Weifeng ; Jiang, Jianfei ; Huang, Haichao ; Zhao, Xuejun ; Sun, Yanan ; Chen, Xin ; Jing, Naifeng

Integration (Amsterdam), 2017-06, Vol.58, p.27-34 [Periódico revisado por pares]

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