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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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2
0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty
0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty
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0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty

LI, Y. P ; HUANG, G. H ; YANG, Z. F ; NIE, S. L

Canadian journal of civil engineering, 2009-06, Vol.36 (6), p.1071-1084 [Periódico revisado por pares]

Ottawa, ON: National Research Council of Canada

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3
0.0354mm 82μW 125KS/s 3-axis readout circuit for capacitive MEMS accelerometer
0.0354mm 82μW 125KS/s 3-axis readout circuit for capacitive MEMS accelerometer
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0354mm 82μW 125KS/s 3-axis readout circuit for capacitive MEMS accelerometer

Lai, Kelvin Yi-Tse ; Zih-Cheng He ; Yu-Tao Yang ; Hsie-Chia Chang ; Chen-Yi Lee

2013 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), 2013, p.109-112

IEEE

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4
0.1-2000 eV electron impact cross sections for dichlorine monoxide
0.1-2000 eV electron impact cross sections for dichlorine monoxide
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-2000 eV electron impact cross sections for dichlorine monoxide

Goswami, Biplab ; Gupta, Dhanoj ; Antony, Bobby

Journal of electron spectroscopy and related phenomena, 2014-03, Vol.193, p.86-91 [Periódico revisado por pares]

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5
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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6
0.13 μm pattern delineation using KrF excimer laser light
0.13 μm pattern delineation using KrF excimer laser light
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0.13 μm pattern delineation using KrF excimer laser light

IMAI, A ; ASAI, N ; UENO, T ; HASEGAWA, N ; TANAKA, T ; TERASAWA, T ; OKAZAKI, S

Japanese journal of applied physics, 1994-12, Vol.33 (12B), p.6816-6822 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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7
0.15- mu m T-shaped gate MODFETs using BCB as low-k spacer
0.15- mu m T-shaped gate MODFETs using BCB as low-k spacer
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.15- mu m T-shaped gate MODFETs using BCB as low-k spacer

Anda, Y ; Kawashima, K ; Nishitsuji, M ; Tanaka, T

IEICE transactions on electronics, 2001-10, Vol.E84-C (10), p.1323-1327 [Periódico revisado por pares]

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8
0.23 eV energy resolution obtained using a cold field-emission gun and a streak imaging technique
0.23 eV energy resolution obtained using a cold field-emission gun and a streak imaging technique
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0.23 eV energy resolution obtained using a cold field-emission gun and a streak imaging technique

Kimoto, Koji ; Ishizuka, Kazuo ; Asaka, Toru ; Nagai, Takuro ; Matsui, Yoshio

Micron (Oxford, England : 1993), 2005-01, Vol.36 (5), p.465-469 [Periódico revisado por pares]

England: Elsevier Ltd

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9
A 0.1-nW-1- \mu W Energy-Efficient All-Dynamic Versatile Capacitance-to-Digital Converter
A 0.1-nW-1- \mu W Energy-Efficient All-Dynamic Versatile Capacitance-to-Digital Converter
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A 0.1-nW-1- \mu W Energy-Efficient All-Dynamic Versatile Capacitance-to-Digital Converter

Xin, Haoming ; Andraud, Martin ; Baltus, Peter ; Cantatore, Eugenio ; Harpe, Pieter

IEEE journal of solid-state circuits, 2019-07, Vol.54 (7), p.1841-1851 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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10
A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket
A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket
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A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket

Guegan, G. ; Deleonibus, S. ; Caillat, C. ; Tedesco, S. ; Dal’zotto, B. ; Heitzmann, M. ; Nier, M.E. ; Mur, P.

Solid-state electronics, 2002-03, Vol.46 (3), p.343-348 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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