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Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer
Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer

Katia Franklin Albertin Inés Pereyra 1947-

Physica Status Solidi (C) Warsaw v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010

Weinheim 2010

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Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer
Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer

Katia Franklin Albertin Inés Pereyra 1947-

Physica Status Solidi (C) Warsaw v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010

Weinheim 2010

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Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer
Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer

Katia Franklin Albertin Inés Pereyra 1947-

Journal of Vacuum Science and Technology B New York v. 27, n. 1, p. 236-245, jan./feb. 2009

New York 2009

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Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer
Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer

Katia Franklin Albertin Inés Pereyra 1947-

Journal of Vacuum Science and Technology B New York v. 27, n. 1, p. 236-245, jan./feb. 2009

New York 2009

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Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.
Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.

Albertin, Katia Franklin

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2003-04-03

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films
On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films

Marco Isaías Alayo Chávez 1971- Inés Pereyra 1947-; Wanderla Luis Scopel; Márcia Carvalho de Abreu Fantini

Thin Solid Films Lausanne v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002

Lausanne 2002

Acesso online

7
On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films
On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films

Marco Isaías Alayo Chávez 1971- Inés Pereyra 1947-; Wanderla Luis Scopel; Márcia Carvalho de Abreu Fantini

Thin Solid Films Lausanne v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002

Lausanne 2002

Acesso online

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Deste Autor:

  1. Pereyra, I
  2. Albertin, K
  3. Fantini, M
  4. Scopel, W
  5. Alayo Chávez, M

Neste Assunto:

  1. Filmes Finos
  2. Semicondutores
  3. Física De Plasmas
  4. Capacitor Mos
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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