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110th Anniversary: Commentary: The Smart Human in Smart Manufacturing
110th Anniversary: Commentary: The Smart Human in Smart Manufacturing
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110th Anniversary: Commentary: The Smart Human in Smart Manufacturing

Bequette, B. Wayne

Industrial & engineering chemistry research, 2019-10, Vol.58 (42), p.19317-19321 [Periódico revisado por pares]

American Chemical Society

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2D/3D registration of endoscopic ultrasound to CT volume data
2D/3D registration of endoscopic ultrasound to CT volume data
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2D/3D registration of endoscopic ultrasound to CT volume data

Hummel, Johann ; Figl, Michael ; Bax, Michael ; Bergmann, Helmar ; Birkfellner, Wolfgang

Physics in medicine & biology, 2008-08, Vol.53 (16), p.4303-4316 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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3-D Monte Carlo device simulator for variability modeling of p-MOSFETs
3-D Monte Carlo device simulator for variability modeling of p-MOSFETs
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3-D Monte Carlo device simulator for variability modeling of p-MOSFETs

Camargo, Vinicius V. A. ; Rossetto, Alan C. J. ; Vasileska, Dragica ; Wirth, Gilson I.

Journal of computational electronics, 2020-06, Vol.19 (2), p.668-676 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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7-nm FinFET CMOS Design Enabled by Stress Engineering Using Si, Ge, and Sn
7-nm FinFET CMOS Design Enabled by Stress Engineering Using Si, Ge, and Sn
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7-nm FinFET CMOS Design Enabled by Stress Engineering Using Si, Ge, and Sn

Gupta, Suyog ; Moroz, Victor ; Smith, Lee ; Qiang Lu ; Saraswat, Krishna C.

IEEE transactions on electron devices, 2014-05, Vol.61 (5), p.1222-1230 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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A 1-Mbit CMOS DRAM with fast page mode and static column mode
A 1-Mbit CMOS DRAM with fast page mode and static column mode
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A 1-Mbit CMOS DRAM with fast page mode and static column mode

Saito, S. ; Fujii, S. ; Okada, Y. ; Shinozaki, S. ; Natori, K. ; Ozawa, O.

IEEE journal of solid-state circuits, 1985-10, Vol.20 (5), p.903-908 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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A 10 nm MOSFET concept
A 10 nm MOSFET concept
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A 10 nm MOSFET concept

Appenzeller, J ; Martel, R ; Solomon, P ; Chan, K ; Avouris, Ph ; Knoch, J ; Benedict, J ; Tanner, M ; Thomas, S ; Wang, K.L ; del Alamo, J.A

Microelectronic engineering, 2001-05, Vol.56 (1), p.213-219 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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A 100 ns 5 V only 64Kx1 MOS dynamic RAM
A 100 ns 5 V only 64Kx1 MOS dynamic RAM
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A 100 ns 5 V only 64Kx1 MOS dynamic RAM

Chan, J.Y. ; Barnes, J.J. ; Wang, C.Y. ; De Blasi, J.M. ; Guidry, M.R.

IEEE journal of solid-state circuits, 1980-10, Vol.15 (5), p.839-846 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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A 2D Full-Band Monte Carlo Study of HgCdTe-Based Avalanche Photodiodes
A 2D Full-Band Monte Carlo Study of HgCdTe-Based Avalanche Photodiodes
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A 2D Full-Band Monte Carlo Study of HgCdTe-Based Avalanche Photodiodes

Bellotti, Enrico ; Moresco, Michele ; Bertazzi, Francesco

Journal of electronic materials, 2011-08, Vol.40 (8), p.1651-1656 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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A 5 V-only 64K dynamic RAM based on high S/N design
A 5 V-only 64K dynamic RAM based on high S/N design
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A 5 V-only 64K dynamic RAM based on high S/N design

Masuda, H. ; Hori, R. ; Kamigaki, Y. ; Itoh, K. ; Kawamoto, H. ; Katto, H.

IEEE journal of solid-state circuits, 1980-10, Vol.15 (5), p.846-854 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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A 64 kbit MOS dynamic random access memory
A 64 kbit MOS dynamic random access memory
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A 64 kbit MOS dynamic random access memory

Natori, K. ; Ogura, M. ; Iwai, H. ; Maeguchi, K. ; Taguchi, S.

IEEE transactions on electron devices, 1979-04, Vol.26 (4), p.560-563 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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