Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Strain and crystal field splitting inversion in III-NitridesFabio Danielli Bonani Anderson Henrique Siqueira; Horacio W. Leite Alves; Guilherme Matos Sipahi; Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF (2022 São Paulo)Program São Paulo : Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022São Paulo Sociedade Brasileira de Física - SBF 2022Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Strain and crystal field splitting inversion in III-NitridesGuilherme Matos Sipahi Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP (20. 2022 São José dos Campos)Abstract Book São José dos Campos : Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022São José dos Campos Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA 2022Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD033390 )(Acessar) |
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3 |
Material Type: Artigo de Congresso
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Strain and crystal field splitting inversion in III-NitridesFabio Danielli Bonani Anderson Henrique Siqueira; Horacio W. Leite Alves; Guilherme Matos Sipahi; ICTP-SAIFR - Condensed Matter Theory in the Metropolis (2. 2022 São Paulo)Canal YouTube ICTP-SAIFR São Paulo: Universidade Estadual Paulista - UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT 10 nov. 2022São Paulo Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT 2022Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD033735 )(Acessar) |
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4 |
Material Type: Artigo de Congresso
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Tunable band gap inversion in broken gap quantum wellsMarcelo A. Toloza Sandoval Tiago de Campos; Guilherme Matos Sipahi; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP (18. 2017 Maresias)Resumo São Paulo : Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017São Paulo Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP 2017Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD027821 )(Acessar) |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layersMarcelo A. Toloza Sandoval Guilherme Matos Sipahi; E. A Andrada e Silva; A. Ferreira da Silva; Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF (2021 Virtual)Program São Paulo : Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021São Paulo Sociedade Brasileira de Física - SBF 2021Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo
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Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effectsMarcelo Alejandro Toloza Sandoval Jhon Elber Leon Padilla; Adilson Barros Wanderley; Guilherme Matos Sipahi; José Fernando Diniz Chubaci; Antonio Ferreira da SilvaJournal of Applied Physics Melville v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, Mar. 2024Melville 2024Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD035666 )(Acessar) |
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Material Type: Tese de Doutorado
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Development and application of the k.p method to investigate spin and optical properties of semiconductor nanostructuresFaria Júnior, Paulo Eduardo DeBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos 2016-06-30Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |