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0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD
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0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD

Enoki, Takatomo ; Ito, Hiroshi ; Ikuta, Kenji ; Umeda, Yohtaro ; Ishii, Yasunobu

Microwave and optical technology letters, 1996-02, Vol.11 (3), p.135-139 [Periódico revisado por pares]

New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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2
1-Pyrenemethanol derived nanocrystal reinforced graphene films with high thermal conductivity and flexibility
1-Pyrenemethanol derived nanocrystal reinforced graphene films with high thermal conductivity and flexibility
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1-Pyrenemethanol derived nanocrystal reinforced graphene films with high thermal conductivity and flexibility

Zou, Rui ; Liu, Feng ; Hu, Ning ; Ning, Huiming ; Jiang, Xiaoping ; Xu, Chaohe ; Fu, Shaoyun ; Li, Yuanqing ; Yan, Cheng

Nanotechnology, 2020-01, Vol.31 (6), p.65602-065602 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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3
1-W 1:16 DEMUX and one-chip CDR with 1:4 DEMUX for 10 Gbit/s optical communication systems
1-W 1:16 DEMUX and one-chip CDR with 1:4 DEMUX for 10 Gbit/s optical communication systems
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1-W 1:16 DEMUX and one-chip CDR with 1:4 DEMUX for 10 Gbit/s optical communication systems

Ishii, K. ; Nosaka, H. ; Nakajima, H. ; Kurishima, K. ; Ida, M. ; Watanabe, N. ; Yamane, Y. ; Sano, E. ; Enoki, T.

GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 23rd Annual Technical Digest 2001 (Cat. No.01CH37191), 2001, p.101-105

IEEE

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1.0 μm gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical vapor deposition
1.0 μm gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical vapor deposition
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1.0 μm gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical vapor deposition

Gao, Cheng ; Li, Hai-ou ; Huang, Jiao-ying ; Diao, Sheng-long

Journal of Central South University, 2012-12, Vol.19 (12), p.3444-3448 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: Central South University

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5
100-Gbit/s logic IC using 0.1-μm-gate-length InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
100-Gbit/s logic IC using 0.1-μm-gate-length InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
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100-Gbit/s logic IC using 0.1-μm-gate-length InAlAs/InGaAs/InP HEMTs

MURATA, Koichi ; SANO, Kimikazu ; KITABAYASHI, Hiroto ; SUGITANI, Suehiro ; SUGAHARA, Hirohiko ; ENOKI, Takatomo

Piscataway NJ: IEEE 2002

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6
11.8 GHz GAINP/GAAS HBT dynamic frequency divider using HLO-FF technique
11.8 GHz GAINP/GAAS HBT dynamic frequency divider using HLO-FF technique
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11.8 GHz GAINP/GAAS HBT dynamic frequency divider using HLO-FF technique

Wei, Hung-Ju ; Meng, Chinchun ; Chang, YuWen ; Huang, Guo-Wei

Microwave and optical technology letters, 2008-10, Vol.50 (10), p.2642-2645 [Periódico revisado por pares]

Hoboken: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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7
120-GHz Tx/Rx Waveguide Modules for 10-Gbit/s Wireless Link System
120-GHz Tx/Rx Waveguide Modules for 10-Gbit/s Wireless Link System
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120-GHz Tx/Rx Waveguide Modules for 10-Gbit/s Wireless Link System

Kosugi, T. ; Tokumitsu, M. ; Murata, K. ; Enoki, T. ; Takahashi, H. ; Hirata, A. ; Nagatsuma, T.

2006 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, 2006, p.25-28

IEEE

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8
13th New Diamond and Nano Carbons Conference to be held in Taiwan
13th New Diamond and Nano Carbons Conference to be held in Taiwan
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13th New Diamond and Nano Carbons Conference to be held in Taiwan

MRS bulletin, 2019-03, Vol.44 (3), p.222-222 [Periódico revisado por pares]

New York, USA: Cambridge University Press

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9
1D metallic edge states of oxygen-terminated zigzag graphene edges
1D metallic edge states of oxygen-terminated zigzag graphene edges
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1D metallic edge states of oxygen-terminated zigzag graphene edges

Li, Y Y ; Chen, M X ; Weinert, M ; Li, L

2d materials, 2019-03, Vol.6 (2), p.25038 [Periódico revisado por pares]

United States: IOP Publishing

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10
2-DIMENSIONAL ANALYSIS OF SHORT-CHANNEL DELTA-DOPED GAAS-MESFETS
2-DIMENSIONAL ANALYSIS OF SHORT-CHANNEL DELTA-DOPED GAAS-MESFETS
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2-DIMENSIONAL ANALYSIS OF SHORT-CHANNEL DELTA-DOPED GAAS-MESFETS

TIAN, H ; KIM, KW ; LITTLEJOHN, MA ; BEDAIR, SM ; WITKOWSKI, LC

IEEE transactions on electron devices, 1992-09, Vol.39 (9), p.1998-2006 [Periódico revisado por pares]

NEW YORK: IEEE

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