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1
Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy
Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy

Thales Borrely dos Santos Alain André Quivy; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) 26 a 30 de agosto de 2019 São Paulo, SP, Brasil 34th

IEEE New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019 04p., Proceedings Paper

New York IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers 2019

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2
Semiconductor nanostructures grown by molecular beam epitaxy
Semiconductor nanostructures grown by molecular beam epitaxy
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Semiconductor nanostructures grown by molecular beam epitaxy

Yuri A. Pusep Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; Haroldo Arakaki; C. A. de Souza; Feira e Congresso Internacional de Nanotecnologia - Nanotec (2. 2006 São Paulo)

Resumos São Paulo : USP, 2006FOTOLUMINESCÊNCIA

São Paulo USP 2006

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3
Low dimensional quantum structures grown by molecular beam epitaxy
Low dimensional quantum structures grown by molecular beam epitaxy
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Low dimensional quantum structures grown by molecular beam epitaxy

Pierre Basmaji Encontro da Sociedade Brasileira de Crescimento de Cristais (2. 1995 São José dos Campos)

Programa e Resumos São José dos Campos : Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE, 1995

São José dos Campos Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003691 ) e outros locais(Acessar)

4
Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy
Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy

A. A. Quivy (Alain André) M A Cotta; J. R Leite (José Roberto); Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (8. 1997 Águas de Lindóia, SP)

Brazilian Journal of Physics São Paulo v. 27, n. 4, p. 154-457, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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5
High electron-mobility layers grown by molecular beam epitaxy of III-V compounds
High electron-mobility layers grown by molecular beam epitaxy of III-V compounds
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High electron-mobility layers grown by molecular beam epitaxy of III-V compounds

A L Sperandio A. A Quivy (Alain André); G M Gusev; J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (21. 1998 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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6
Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy
Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy

A. C. Notari Brazilian School on Semicondutores Physics (5. 1991 São Paulo)

Proceedings São Paulo, 1991

São Paulo 1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001230 ) e outros locais(Acessar)

7
Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures

Yuri A. Pusep G Zanelatto; J C Galzerani; P P González-Borrero; Pierre Basmaji; Conferência Internacional de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE) (10. 1998 Cannes)

Conferência Internacional de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE), 10 Cannes, 1998

Cannes 1998

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD005619 ) e outros locais(Acessar)

8
Molecular beam epitaxy of 'IN''AS' self-organized quantum dots on high-index oriented 'GA''AS'
Molecular beam epitaxy of 'IN''AS' self-organized quantum dots on high-index oriented 'GA''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Molecular beam epitaxy of 'IN''AS' self-organized quantum dots on high-index oriented 'GA''AS'

P P González-Borrero Euclydes Marega Júnior; D I Lubyshev; E Petitprez; Pierre Basmaji; International Conference on the Physics of Semiconductors (23. 1996 Berlin)

Proceedings Berlin : World Scientific, 1996

Berlin World Scientific 1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003744 ) e outros locais(Acessar)

9
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates

A. A. Quivy (Alain André) M Frizzarini; E C F Silva; A L Sperandio; J. R Leite (José Roberto); Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (8. 1997 Águas de Lindóia, SP)

Brazilian Journal of Physics São Paulo v. 27A, n. 4, p. 125-129, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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10
Growth and transport properties of 'IN''SB' on 'GA''AS' by molecular beam epitaxy
Growth and transport properties of 'IN''SB' on 'GA''AS' by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth and transport properties of 'IN''SB' on 'GA''AS' by molecular beam epitaxy

D I Lubyshev V V Preobrazhenskii; B R Semyagin; T B Lubysheva; N La Scala Junior; Pierre Basmaji; Simposio Latino-Americano de Fisica do Estado Solido (13. 1995 Gramado)

Scientific Program and Abstracts Porto Alegre : Ufrgs, 1995

Porto Alegre Ufrgs 1995

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Deste Autor:

  1. Basmaji, P
  2. Lubyshev, D
  3. Quivy, A
  4. Marega Júnior, E
  5. Leite, J

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Semicondutores
  3. Epitaxia Por Feixe Molecular
  4. Fotoluminescência
  5. Física

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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