Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Tese de Doutorado
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Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicosLamas, Tomás EriksonBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2004-05-26Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam EpitaxyThales Borrely dos Santos Alain André Quivy; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) 26 a 30 de agosto de 2019 São Paulo, SP, Brasil 34thIEEE New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019 04p., Proceedings PaperNew York IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers 2019Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxyRicardo Aluisio Pereira A. A Quivy (Alain André); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (38. Foz do Iguaçu, PR 2015)Resumos São Paulo : SBF, 2015São Paulo SBF 2015Acesso online |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxyMarcelo Rizzo Piton Eero Koivusalo; Soile Suomalainen; Teemu Hakkarainen; Sérgio Paulo Amaral Souto; Helder Vinícius Avanço Galeti; Donald Lupo; Ariano de Giovanni Rodrigues; Yara Galvao Gobato; Mircea Guina; International Workshop and School - Nanostructures for Photonics (2018 Saint Petersburg, Russia)Abstracts NSP Saint Petersburg, 2018Saint Petersburg 2018Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo
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Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111)Philipp Kagerer Celso Israel Fornari; S Buchberger; Sergio L Morelhao https://orcid.org/0000-0003-1643-0948; R. C Vidal; Abdul-Vakhab Tcakaev; V Zabolotnyy; E Weschke; Vladimir Hinkov; Martin Kamp; B Büchner; Anna Isaeva; H Bentmann; F ReinertJournal of Applied Physics Maryland: AIP-American Institute of Physics, 2020 v. 128, n. 13, número do artigo: 135303, 05 outubro 2020, onlineMaryland 2020Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Dissertação de Mestrado
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Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentadaCurbelo, Victor Manuel OrlandoBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2023-07-28Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
7 |
Material Type: Dissertação de Mestrado
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Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadaZeidan, Ahmad AlBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2017-10-03Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy structural, optical and electrical propertiesMarcelo Rizzo Piton Eero Koivusalo; Soile Suomalainen; Sérgio Paulo Amaral Souto; Helder Vinícius Avanço Galeti; Donald Lupo; Ariano de Giovanni Rodrigues; Paulo Sérgio Pizani; Yara Galvao Gobato; Mircea Guina; Brazilian MRS Meeting (17. 2018 Natal, RN)Proceedings Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018Rio de Janeiro Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat 2018Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy structural, optical and electrical propertiesYara Galvao Gobato Helder Vinícius Avanço Galeti; Marcelo Rizzo Piton; Eero Koivusalo; Soile Suomalainen; Teemu Hakkarainen; Sérgio Paulo Amaral Souto; Ariano de Giovanni Rodrigues; Paulo Sérgio Pizani; Donald Lupo; Mircea Guina; International Conference on the Physics of Semiconductors (34. 2018 Montpellier, France)Proceedings ICPS Montpellier, 2018Montpellier 2018Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on SiMarcelo Rizzo Piton Eero Koivusalo; Teemu Hakkarainen; Soile Suomalainen; Helder Vinícius Avanço Galeti; Sérgio Paulo Amaral Souto; Yara Galvao Gobato; Mircea Guina; Optics & Photonics Days (2017 Oulu, Finland)Abstracts Oulu, 2017Oulu 2017Localização: FZEA - Fac. Zoot. Eng. de Alimentos (PCD 2017 Opt )(Acessar) |