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Temperature- and Doping-Dependent Anisotropic Stationary Electron Velocity in Wurtzite GaN
Temperature- and Doping-Dependent Anisotropic Stationary Electron Velocity in Wurtzite GaN
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Temperature- and Doping-Dependent Anisotropic Stationary Electron Velocity in Wurtzite GaN

Sridharan, S. ; Christensen, A. ; Venkatachalam, A. ; Graham, S. ; Yoder, P. D.

IEEE electron device letters, 2011-11, Vol.32 (11), p.1522-1524 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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2
Theoretical Evaluation of the Effects of Isolation-Feature Size and Geometry on the Built-In Strain and 2-D Electron Gas Density of AlGaN/GaN Heterostructures
Theoretical Evaluation of the Effects of Isolation-Feature Size and Geometry on the Built-In Strain and 2-D Electron Gas Density of AlGaN/GaN Heterostructures
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Theoretical Evaluation of the Effects of Isolation-Feature Size and Geometry on the Built-In Strain and 2-D Electron Gas Density of AlGaN/GaN Heterostructures

Gosselin, Jean-Lou ; Valizadeh, Pouya

IEEE transactions on electron devices, 2018-11, Vol.65 (11), p.4800-4806 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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GaN High Electron Mobility Transistor Simulations With Full Wave and Hot Electron Effects
GaN High Electron Mobility Transistor Simulations With Full Wave and Hot Electron Effects
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GaN High Electron Mobility Transistor Simulations With Full Wave and Hot Electron Effects

Grupen, Matt

IEEE transactions on electron devices, 2016-08, Vol.63 (8), p.3096-3102 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Investigation of self-heating effects in submicrometer GaN/AlGaN HEMTs using an electrothermal Monte Carlo method
Investigation of self-heating effects in submicrometer GaN/AlGaN HEMTs using an electrothermal Monte Carlo method
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Investigation of self-heating effects in submicrometer GaN/AlGaN HEMTs using an electrothermal Monte Carlo method

Sadi, T. ; Kelsall, R.W. ; Pilgrim, N.J.

IEEE transactions on electron devices, 2006-12, Vol.53 (12), p.2892-2900 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Ultrafast decay of hot phonons in an AlGaN/AlN/AlGaN/GaN camelback channel
Ultrafast decay of hot phonons in an AlGaN/AlN/AlGaN/GaN camelback channel
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Ultrafast decay of hot phonons in an AlGaN/AlN/AlGaN/GaN camelback channel

Leach, J. H ; Wu, M ; Morkoç, H ; Liberis, J ; Šermukšnis, E ; Ramonas, M ; Matulionis, A

VCU Scholars Compass 2011

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Electron drift velocity in lattice-matched AlInN/AlN/GaN channel at high electric fields
Electron drift velocity in lattice-matched AlInN/AlN/GaN channel at high electric fields
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Electron drift velocity in lattice-matched AlInN/AlN/GaN channel at high electric fields

Ardaravičius, L ; Ramonas, M ; Liberis, J ; Kiprijanovič, O ; Matulionis, A ; Xie, J ; Wu, M ; Leach, J. H ; Morkoç, H

VCU Scholars Compass 2009

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7
GaN Substrates for III-Nitride Devices
GaN Substrates for III-Nitride Devices
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GaN Substrates for III-Nitride Devices

Paskova, Tanya ; Hanser, Drew A. ; Evans, Keith R.

Proceedings of the IEEE, 2010-07, Vol.98 (7), p.1324-1338 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Importance of the Gate-Dependent Polarization Charge on the Operation of GaN HEMTs
Importance of the Gate-Dependent Polarization Charge on the Operation of GaN HEMTs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Importance of the Gate-Dependent Polarization Charge on the Operation of GaN HEMTs

Ashok, A. ; Vasileska, D. ; Goodnick, S.M. ; Hartin, O.L.

IEEE transactions on electron devices, 2009-05, Vol.56 (5), p.998-1006 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
AlGaN/GaN HEMT Degradation: An Electro-Thermo-Mechanical Simulation
AlGaN/GaN HEMT Degradation: An Electro-Thermo-Mechanical Simulation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

AlGaN/GaN HEMT Degradation: An Electro-Thermo-Mechanical Simulation

der Maur, Matthias Auf ; Di Carlo, Aldo

IEEE transactions on electron devices, 2013-10, Vol.60 (10), p.3142-3148 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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10
Physics of GaN-based heterostructure field effect transistors
Physics of GaN-based heterostructure field effect transistors
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Physics of GaN-based heterostructure field effect transistors

Shur, M.S. ; Gaska, R.

IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, 2005. CSIC '05, 2005, p.4 pp.

IEEE

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