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1
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.

Santos, Sara Dereste Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-02-05

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2
Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.
Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.

Nissimoff, Albert

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2013-06-11

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3
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2009-09-11

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4
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.

Yojo, Leonardo Shimizu

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-03-08

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5
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2013-06-19

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6
Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.
Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.

Galeti, Milene

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2008-05-16

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7
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.

Agopian, Paula Ghedini Der

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2008-11-27

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8
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-11-30

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9
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.

Nascimento, Vinicius Mesquita Do

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-17

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10
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.

Leal, João Vitor Da Costa

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-03-02

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Der Agopian, P
  4. Rangel, R
  5. Yojo, L

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Microeletrônica
  3. Soi
  4. Tecnologia Soi
  5. Soi Technology

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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