Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
---|---|---|---|
1 |
Material Type: Artigo
|
(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVDBai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
|
2 |
Material Type: Artigo
|
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STMDulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]Lausanne: Elsevier B.VTexto completo disponível |
|
3 |
Material Type: Artigo
|
(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel methodGuo, Dongyun ; Ju, Yang ; Fu, Chengju ; Huang, Zhixiong ; Zhang, LianmengMaterials science--Poland, 2016-09, Vol.34 (3), p.555-563 [Periódico revisado por pares]De GruyterTexto completo disponível |
|
4 |
Material Type: Artigo
|
0-1 GHz waveguide 10.6 mu m GaAs electrooptic modulatorBrown, R.T.IEEE journal of quantum electronics, 1992-05, Vol.28 (5), p.1349-1352 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
|
5 |
Material Type: Artigo
|
0 + → 0 − pion-like excitations in light and medium nucleiCohen, JosephPhysics letters. B, 1985-01, Vol.164 (4), p.253-257 [Periódico revisado por pares]Elsevier B.VTexto completo disponível |
|
6 |
Material Type: Artigo
|
0 +→2 + 0 νββ decay triggered directly by the Majorana neutrino massTomoda, T.Physics letters. B, 2000, Vol.474 (3), p.245-250 [Periódico revisado por pares]Elsevier B.VTexto completo disponível |
|
7 |
Material Type: Artigo
|
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithographyMochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, TMicroelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]AMSTERDAM: Elsevier B.VTexto completo disponível |
|
8 |
Material Type: Artigo
|
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layerOmura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
|
9 |
Material Type: Artigo
|
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line TerminationVasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, VaidotasElectronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]Basel: MDPI AGTexto completo disponível |
|
10 |
Material Type: Artigo
|
0+→2+ 0νββ decay triggered directly by the Majorana neutrino massTomoda, T.Physics letters. B, 2000-02, Vol.474 (3-4), p.245-250 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |