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A Reliable Model Parameter Extraction Method Applied to AlGaN/GaN HEMTs
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A Reliable Model Parameter Extraction Method Applied to AlGaN/GaN HEMTs

Jarndal, Anwar ; Essaadali, Riadh ; Kouki, Ammar B.

IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, 2016-02, Vol.35 (2), p.211-219 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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2
A simplified model for the effect of interfinger metal on maximum temperature rise in a multifinger bipolar transistor
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A simplified model for the effect of interfinger metal on maximum temperature rise in a multifinger bipolar transistor

Walkey, D.J. ; Celo, D. ; Smy, T.J.

IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, 2003-01, Vol.22 (1), p.15-25 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
A nonequilibrium one-dimensional quantum-mechanical simulation for AlGaAs/GaAs HEMT structures
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A nonequilibrium one-dimensional quantum-mechanical simulation for AlGaAs/GaAs HEMT structures

Takano, C. ; Yu, Z. ; Dutton, R.W.

IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, 1990-11, Vol.9 (11), p.1217-1224 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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