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0.1 /spl mu/m-rule MRAM development using double-layered hard mask
0.1 /spl mu/m-rule MRAM development using double-layered hard mask
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 /spl mu/m-rule MRAM development using double-layered hard mask

Tsuji, K. ; Suemitsu, K. ; Mukai, T. ; Nagahara, K. ; Masubuchi, H. ; Utsumi, H. ; Kikuta, K.

International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.36.4.1-36.4.4

IEEE

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2
“Memoire et Societé”: science poétique et référence d’humanisme; “Memória e sociedade”: ciência poética e referência de humanismo; “Memoria y Sociedad”: ciencia poética y referencia de humanismo; “Memory and Society”: poetic science and humanistic reference
“Memoire et Societé”: science poétique et référence d’humanisme; “Memória e sociedade”: ciência poética e referência de humanismo; “Memoria y Sociedad”: ciencia poética y referencia de humanismo; “Memory and Society”: poetic science and humanistic reference
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

“Memoire et Societé”: science poétique et référence d’humanisme; “Memória e sociedade”: ciência poética e referência de humanismo; “Memoria y Sociedad”: ciencia poética y referencia de humanismo; “Memory and Society”: poetic science and humanistic reference

Oliveira, Paulo De Salles

Psicologia USP; v. 19 n. 1 (2008); 51-58

Universidade de São Paulo. Instituto de Psicologia 2008-03-01

Acesso online

3
2',6'-dihydroxy-4'-methoxy dihydrochalcone improves the cognitive impairment of Alzheimer's disease a structure-activity relationship study
2',6'-dihydroxy-4'-methoxy dihydrochalcone improves the cognitive impairment of Alzheimer's disease a structure-activity relationship study
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

2',6'-dihydroxy-4'-methoxy dihydrochalcone improves the cognitive impairment of Alzheimer's disease a structure-activity relationship study

Ana E. Gonçalves Ângela Malheiros; Camila A Casarin; Lara de França; David Leandro Palomino-Salcedo; Leonardo Luiz Gomes Ferreira; Adriano Defini Andricopulo; María-José Dávila-Rodríguez; Leticia C Lacava; Aldo S Oliveira; Marcia M Souza

Current Topics in Medicinal Chemistry Sharjah v. 21, n. 13, p. 1167-1185, 2021

Sharjah 2021

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD032074 )(Acessar)

4
'E o que resta não destrói a memória': história, memória e ficção na obra de W. G. Sebald
'E o que resta não destrói a memória': história, memória e ficção na obra de W. G. Sebald
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

'E o que resta não destrói a memória': história, memória e ficção na obra de W. G. Sebald

Bussius, Julia Teixeira

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Faculdade de Filosofia, Letras e Ciências Humanas 2010-05-06

Acesso online

5
50 anos do Programa de Pós-Graduação em Literatura Brasileira da FFLCH-USP: anos de formação; 50th Anniversary of The Program in Brazilian Literature of University of São Paulo: years of formation
50 anos do Programa de Pós-Graduação em Literatura Brasileira da FFLCH-USP: anos de formação; 50th Anniversary of The Program in Brazilian Literature of University of São Paulo: years of formation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

50 anos do Programa de Pós-Graduação em Literatura Brasileira da FFLCH-USP: anos de formação; 50th Anniversary of The Program in Brazilian Literature of University of São Paulo: years of formation

Angelozzi, Amanda; Enabe, Cláudia Ayumi; Dos Santos, Fernando Borsato

Opiniães; n. 21 (2022): 1822, 1922, 2022: Continuações e Rupturas; 114-147

Universidade de São Paulo. Faculdade de Filosofia, Letras e Ciências Humanas 2022-12-22

Acesso online

6
50th Anniversary of the Program in Brazilian Literature of University of São Paulo; 50 anos do Programa de Pós-Graduação em Literatura Brasileira da FFLCH – USP
50th Anniversary of the Program in Brazilian Literature of University of São Paulo; 50 anos do Programa de Pós-Graduação em Literatura Brasileira da FFLCH – USP
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

50th Anniversary of the Program in Brazilian Literature of University of São Paulo; 50 anos do Programa de Pós-Graduação em Literatura Brasileira da FFLCH – USP

Angelozzi , Amanda; Enabe, Cláudia Ayumi; Santos, Fernando Borsato Dos

Opiniães; n. 20 (2022): Dossiê: Cecília Meireles; 410-443

Universidade de São Paulo. Faculdade de Filosofia, Letras e Ciências Humanas 2022-07-07

Acesso online

7
68: the impossible celebration; 68: a comemoração impossível
68: the impossible celebration; 68: a comemoração impossível
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

68: the impossible celebration; 68: a comemoração impossível

Cardoso, Irene

Tempo Social; v. 10 n. 2 (1998); 1-12

Universidade de São Paulo. Faculdade de Filosofia, Letras e Ciências Humanas 1998-12-01

Acesso online

8
A 0-1 Model for Solving the Corrugator Trim Problem
A 0-1 Model for Solving the Corrugator Trim Problem
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0-1 Model for Solving the Corrugator Trim Problem

Haessler, Robert W ; Talbot, F. Brian

Management science, 1983-02, Vol.29 (2), p.200-209 [Periódico revisado por pares]

Linthicum: INFORMS

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9
A 0.007 mm2 0.6 V 6 MS/s Low-Power Double Rail-to-Rail SAR ADC in 65-nm CMOS
A 0.007 mm2 0.6 V 6 MS/s Low-Power Double Rail-to-Rail SAR ADC in 65-nm CMOS
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.007 mm2 0.6 V 6 MS/s Low-Power Double Rail-to-Rail SAR ADC in 65-nm CMOS

Jo, Yong-Jun ; Kim, Ju Eon ; Baek, Kwang-Hyun ; Kim, Tony Tae-Hyoung

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2021-09, Vol.68 (9), p.3088-3092 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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10
A 0.02% Accuracy Loss Voltage-Mode Parallel Sensing Scheme for RRAM-Based XNOR-Net Application
A 0.02% Accuracy Loss Voltage-Mode Parallel Sensing Scheme for RRAM-Based XNOR-Net Application
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.02% Accuracy Loss Voltage-Mode Parallel Sensing Scheme for RRAM-Based XNOR-Net Application

Zhao, Yulin ; Yu, Jie ; Zhang, Donglin ; Hu, Qiao ; Liu, Xuanzhi ; Jiang, Haijun ; Ding, Qingting ; Han, Zhongze ; Cheng, Jinhui ; Zhang, Wenjun ; Cao, Yue ; Zhou, Ruixi ; Lu, Hongfei ; Xu, Xiaoxin ; Yang, Jianguo

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2022-06, Vol.69 (6), p.2697-2701 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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