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Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan

A Fazzio International Conference on the Physics of Semiconductors (23. 1996 Berlin)

Anais Singapore : World Scientific, 1996

Singapore World Scientific 1996

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Título:
Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan
Autor: A Fazzio
International Conference on the Physics of Semiconductors (23. 1996 Berlin)
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
É parte de: Anais Singapore : World Scientific, 1996
Editor: Singapore World Scientific
Data de criação/publicação: 1996
Formato: v.4 p.2865.
Idioma: Inglês

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